米Intelは2月18日、50億ドル以上を投じて米アリゾナ州に新たな半導体製造施設を建設すると発表した。
同州チャンドラーに建設するFab 42は今年半ばに着工し、2013年に完成する予定。最小で回路幅14ナノメートルの半導体を製造でき、「世界で最も高度で生産高の大きな製造施設になる」とIntelは述べている。この工場は数千人分の雇用を創出するという。
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