ルネサス、「superAND型フラッシュメモリ」に512Mビット版
ルネサステクノロジは3月29日、不良セクタ管理機能を搭載した「superAND型フラッシュメモリ」の512Mビット版「HN29V512A」を発表した。バス幅16ビットの「HN29V512A0ABP」と8ビットの「HN29V512A1ABP」を5月からサンプル出荷する。
発売済みの256/128Mビット版と同様、不良セクタ管理機能を内蔵した。稼動中に見つけた不良セクタを予備セクタに自動的に置き換えるため、出荷後でもメモリ領域が100％完全動作するという。
特定の領域に書き換えが集中するのを防ぐ「ウェアレベリング機能」や、読み出し時のデータが書き込み時から変化している時、変化した箇所を検出して訂正するエラー訂正機能も内蔵した。
0.13μメートルプロセスと、同社のAG-AND型フラッシュメモリのセル技術を採用し、書き込み速度は4Mバイト/秒に高めた。回路設計も工夫してサイズは256/128Mビット版と同じ10（高さ）×11.5（幅）×1.2（厚さ）ミリに抑えている。電源電圧は3.3ボルト。サンプル価格はそれぞれ2400円。
電源電圧を1.8ボルトに抑えた低電圧版も開発中で、2004年の第3四半期にサンプル出荷するとしている。
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