光デバイスとLSIの1チップ化に道、東工大と富士通研が新技術
東京工業大学・水谷惟恭教授と篠崎和夫助教授のグループと富士通研究所は4月6日、シリコン基板上に高品位な電気光学材料を形成することに成功したと発表した。光デバイスとLSIの1チップ化に道を開き、将来の超小型光通信システムの実現に貢献できるとしている。
高速な光通信システムをさらに小型化するためには、現在は別々の光デバイスと信号処理LSIの1チップ化が有効。1チップ化には、シリコン基板上に光学材料を形成する技術が必要となる。
東工大グループと富士通研は、電圧をかけると屈折率が変化する電気光学材料・強誘電体の高品位な単結晶膜をシリコン上に形成することに成功した。従来の同様の試みでは結晶膜の原子配列が乱れて光が伝播できない問題があったが、形成技術と新材料の開発で解決した。
新技術で形成した結晶膜の電気光学特性は、光通信に使う波長1.55μメートル光で従来材料の2倍となり、伝播ロスも実用可能なレベルという。今後さらに特性の向上を図るほか、大面積のシリコン上で均質かつ高品質な結晶膜を形成できるプロセス技術の確立を目指す。
研究成果は、6月に開かれる「第4回アジア電子セラミックス会議」（AMEC-4、中国杭州）で発表する予定。
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