Intel、消費電力10分の1のトランジスタを開発
米Intelは12月7日、新素材を採用した高速・省電力トランジスタのプロトタイプを開発したと発表した。
このトランジスタは同社が英QinetiQと共同開発したもので、「アンチモン化インジウム（InSb）」と呼ばれる素材を採用している。InSbはIII-V族化合物半導体に属し、RF（ラジオ周波数）増幅器やマイクロ波デバイス、半導体レーザなどに利用されている。
このトランジスタは従来のものよりも高速で動作するとともに消費電力も抑えられている。性能は50％以上向上し、消費電力は約10分の1になると同社の技術製造統括本部コンポーネント・リサーチ担当ディレクター、ケン・デイビッド氏は発表文で述べている。
このトランジスタは今後5～10年先を目安に登場する予定という。これにより、ムーアの法則をさらに延長できると思うとIntelは述べている。
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