IBM、高速eDRAM技術を開発

　米IBMは2月14日、ISSCCにおいて、SOI（シリコンオンインシュレータ）技術によるシステムオンチップ設計の高速eDRAM（混載DRAM）を開発したと発表した。

　同社が今回開発した新eDRAMは、従来のSRAMの3分の1のサイズ、待機時の消費電力は5分の1ながら、高性能を実現するという。

　同社では、このオンチップメモリ技術によってマイクロプロセッサの性能は倍に高まるとし、同社の45ナノメートル世代マイクロプロセッサロードマップの鍵を握る技術になると期待をかける。新技術を採用した製品は2008年に登場する見通し。

　eDRAMの仕様は、セルサイズ0.126平方ミリ、電源1ボルト、AC電源76ミリワット、待機電源42ミリワット、ランダムサイクル時間2ナノ秒、レイテンシ1.5ナノ秒。

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