SanDisk、64GビットNANDフラッシュを発表

　米SanDiskは2月10日、メモリセル1つで複数ビットの記録が可能なマルチレベルセル（MLC）技術「X4」と「X3」によるNAND型大容量フラッシュメモリを発表した。

　X4は1つのセルに4ビットを記録する技術。SanDiskは東芝とともに、43ナノメートル（nm）プロセス技術で業界最大となる容量64GビットのNAND型フラッシュを製造する。64GビットX4メモリは今年前半に量産を開始する予定という。

　同社はX4メモリの性能管理に必要な、X4コントローラも開発。X4メモリとX4コントローラをマルチチップパッケージ（MCP）に搭載して提供する。64GビットX4の書き込み速度は最大で毎秒7.8Mバイトを実現するという。今年上半期中に量産を開始する予定。

　1つのセルに3ビットを記録するX3も東芝との共同開発で、32nmプロセス技術による32GビットのNANDフラッシュメモリを製造する。これにより、32GビットのmicroSDが製造できることになる。今年下半期に量産を開始する予定。

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