DRAMの供給過多により、2008年における世界の半導体設備投資額は、2007年の448億ドルから9.9%減の403億ドルとなる――調査会社米Gartnerが12月19日、報告書をまとめた。
同社は2007年の動向を、供給過多にもかかわらず強気なDRAM設備投資が継続し、一方でNAND型フラッシュメモリへの設備投資は鈍化したと総括。2008年については、DRAMの過剰な設備投資や、米国の景気後退への懸念などの要因により、設備投資市場は全体的に縮小するとの見方を示している。
ただしNAND型フラッシュメモリ市場については、来年も設備投資額が増加する見通しという。
2008年の設備投資は、いずれの主要分野でもマイナス成長が見込まれている。需要と供給のバランスを取るため、2008年前半は特にDRAMメーカーが設備投資を控える可能性が高いという。ただし半導体受託生産企業(ファウンドリ)では次世代技術への投資が始まり、ロジック市場でも新たな投資が必要とされることから、2008年後半は再び設備投資が上昇機運に乗り、2009年はプラスに転じるとGartnerは予測している。
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