ニュース
IBM、AMDら5社、22nmプロセスのSRAM開発に成功
IBMはAMD、東芝などとともに、22ナノメートルプロセスでセル面積0.1平方マイクロメートルのSRAMを開発した。
米IBMは8月18日、パートナー企業らとともに、「世界初の」22ナノメートル(nm)プロセスのSRAM開発に成功したと発表した。パートナーにはAMD、Freescale、STMicroelectronics、東芝とニューヨーク州立大学アルバニー校ナノテク研究センター(CNSE)が名を連ねる。このSRAMは米ニューヨーク州アルバニーのIBMの研究施設で製造された。
22nmは2世代先の技術。次世代は32nmプロセスで、IBMは既にパートナー企業らとともにHigh-k(高誘電率)/メタルゲート素材を用いた32ナノメートル(nm)半導体技術を共同開発している。
新SRAMは従来の6トランジスタ設計を用いており、セル面積は0.1平方マイクロメートル。High-k(高誘電率)/メタルゲート素材、ゲート長25nm以下のトランジスタ、薄いスペーサーなどの技術により、開発に成功したとしている。
この成果については2008年12月にサンフランシスコでIEEEが開催する国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する予定。
関連記事
- IBMと日立、半導体の特性評価で共同研究
IBMと日立が半導体の特性評価で共同研究を行う。両社の半導体分野での協業は今回が初となる。 - IBM、AMDら6社、次世代High-k/メタルゲート32nm製造技術で提携
- 東芝、32nmプロセス開発でIBM連合に合流
東芝とIBMが32nmプロセスの共同開発で合意。東芝はIBM、Samsung、AMDなど6社が進める共同開発に合流する。
関連リンク
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.