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エルピーダ、30nmプロセスを採用した4GバイトDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷を開始
エルピーダメモリは、30nmプロセス採用した4Gバイト容量のDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷を開始した。
エルピーダメモリは12月21日、30nmプロセス採用した4Gバイト容量のDDR3 SO-DIMMのサンプル出荷を開始したと発表した。
同社従来モデルとなる40nm DRAMモジュール比で動作時約20%/待機時約30%の消費電流削減を実現した。量産開始については2011年の1〜3月期を予定している。
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