ニュース 2021年12月17日 IBMとSamsung、FinFETに比べて85％電力消費を節約できる新構造のトランジスタを発表（要約） [ITmedia] 米IBMと韓国Samsung Electronicsが「VTFET」を発表トランジスタを垂直に形成し電流も垂直に流す点が特徴。現在主流の微細化FinFETに比べて2倍の性能を発揮 続きを読む
