IBMとSamsung、FinFETに比べて85％電力消費を節約できる新構造のトランジスタを発表

米IBMと韓国Samsung Electronicsは12月14日、新構造のトランジスタ「VTFET（Vertical Transport Field Effect Transistors）」を発表した。

[ITmedia]

　米IBMと韓国Samsung Electronicsは12月14日（現地時間）、新構造のトランジスタ「VTFET（Vertical Transport Field Effect Transistors）」を発表した。VTFETは両社が協力して、米ニューヨーク州のAlbany Nanotech Complexで開発したものだという。

半導体ウエハー

　従来の半導体では、トランジスタは水平方向に並び、電流も水平に流れているが、VTFETではトランジスタを垂直に形成し、電流も垂直に流す点が特徴だ。このような構造にすることで、現在主流の微細化FinFET（Fin Field-Effect Transistor）に比べて2倍の性能を発揮、あるいは消費電力量を85％削減できる見込みだという。

左がVTFETで右がFinFET。VTFETは垂直方向にトランジスタを形成し、電流も垂直方向に流す

　両社はVTFETが実現することで、1週間以上充電せずとも動き続けるスマートフォンが実現し、暗号通貨マイニングやデータ暗号化などの複雑な処理を少ない電力で済ませ、CO2排出量を削減できるようになるという。さらに、IoT（Internet of Things）の末端で動く機器を、より少ない電力で稼働させることが可能になるともしている。

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