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Samsungが3nmプロセスのチップ生産を開始 5nmよりも45%省電力
韓国Samsung Electronicsが、「GAA」(Gate-All-Around)技術を使用した3nmプロセスの半導体生産を開始したと発表。台湾TSMCに先行する形となる。
韓国Samsung Electronicsは6月30日、「GAA」(Gate-All-Around)技術を使用した3nmプロセスの半導体生産を開始したと発表。半導体分野でライバルとなる台湾TSMCは、3nmプロセスによる半導体の量産を2022年後半に開始すると発表しており、量産化ではSamsungが先行することになる。
Samsungによると、独自のGAA技術である「Multi-Bridge-Channel FET」(MBCFET)により、電力効率の向上と駆動電流能力の向上による性能アップを実現。第1世代の3nmプロセッサは、同社の5nmプロセッサと比較し消費電力を最大45%削減、性能を23%向上、面積を16%削減。第2世代ではさらに消費電力を最大50%削減、性能を30%向上、面積を35%削減可能だとしている。
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