Micron、年内に2GビットNANDフラッシュ投入
NAND型フラッシュメモリへの参入を表明している米Micron Technologyは7月5日、製品第1弾として、今年末までに2Gビット品を市場投入する計画を明らかにした。
第1弾製品は90ナノメートルプロセスで製造。順次72ナノメートル、58ナノメートルにシュリンクし、16Gビット品の製造に至るロードマップを決めた。
MicronはDRAM世界大手。カメラ付き携帯電話の普及などでNANDフラッシュ需要が拡大しているため参入する。
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