8GビットNANDフラッシュを開発 東芝とSanDisk
東芝と米SanDiskは2月8日、70ナノメートルプロセスによる8GビットNAND型フラッシュメモリを共同開発したと発表した。今夏から生産を開始し、2006年には主力製品にする計画だ。
多値技術と設計の最適化により、チップ面積を146平方ミリに抑えた。従来技術で設計した場合に比べ約5％小さく、90ナノメートルプロセスの4Gビット品からのサイズ増加は5％以内になっているという。
書き込み速度は毎秒6Mバイト。読み出しはバーストモードの採用などで高速化し、従来比約4割早い毎秒60Mバイトとした。
三重県四日市市の合弁生産会社で生産する。2チップを1パッケージに積層した16Gビット品もあわせて製品化する計画だ。
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