Samsung、最高記録密度のフラッシュ開発――32GBメモリカード実現へ

公開 2005年09月12日 18時18分

[ITmedia]

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　Samsung Electronicsは9月12日、世界最高の記録密度の16ギガビットNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。

　この新しいフラッシュメモリは業界初の50ナノメートル技術と、Samsung独自の3Dトランジスタアーキテクチャを採用することで高密度を達成したと同社は発表文で述べている。同社によれば、このフラッシュメモリを使えば、1枚のメモリカードに最高16個のフラッシュメモリを搭載し、最大32Gバイトのメモリカードを作ることができるという。

　さらにこの新型フラッシュは8ギガビットフラッシュよりも25％小型化されており、業界最小のセルサイズだと同社は主張する。

　これにより「ミニHDD、さらにはノートPC向けHDDの代替選択肢として」NAND型フラッシュ市場の拡大はさらに加速するはずだと同社は語る。

　Samsungは16ギガビットNAND型フラッシュを2006年後半に量産開始する計画だ。

　NAND型フラッシュはデジカメや、iPod nanoなどのMP3プレーヤーで広く使われている。

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