東芝、フラッシュメモリの速度を2倍に

公開 2005年11月21日 17時21分

[IDG Japan]

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　東芝は11月21日、2006年にNAND型フラッシュメモリチップの読み込み・書き込み速度を2倍にする計画を明らかにした。

　NAND型フラッシュメモリは、デジカメや音楽プレーヤー、メモリカードなどのデバイス向けの基本的なストレージとして利用されている。チップが高速なほど、コンピュータとデバイス間のデータ転送も速くなる。

　現時点では、東芝のフラッシュチップの読み込み・書き込み速度は6Mバイト/秒だが、2006年に新しい製造ラインで生産を開始する時には12Mバイト/秒になると同社の広報担当ヒロコ・モチダ氏は語る。

　同社は現在、ほとんどのNAND型フラッシュチップを90ナノメートルプロセス製造ラインで生産しているが、2006年には最新の52ナノメートルプロセスでの製造を開始する。

　52ナノメートルプロセスで製造される最初のフラッシュチップの容量は16Gビット（2Gバイト）になるという。

　フラッシュメモリ市場では競争が激化しており、東芝の新しいチップはそうした中で登場することになる。Apple Computerがフラッシュメモリを搭載したiPod nanoを立ち上げたことでフラッシュチップへの需要が増加し、潜在市場も拡大したことから、半導体メーカーは売上を伸ばそうと競い合っている。

　「Hynixは2005年第2四半期からキャパシティを拡大した」とGartnerの東京オフィスのアナリスト、ヒロユキ・シミズ氏は話す。「Hynixの生産力は東芝に急激に迫ってきており、東芝は（市場シェアを維持するために）生産量を増やさなければならなかった。おそらく年末には、Hynixはフラッシュ市場でナンバー3になるだろう」

　東芝は2004年、フラッシュ市場で売上高2位だった（Gartner調べ）。首位はSamsung Electronicsで、東芝の後にはSanDisk、ルネサステクノロジ、Hynixが続いた。

　コンシューマーにとっては、価格が下落するためこのような競争は朗報だとシミズ氏は言う。だが一部には、需要が共有を上回り、品不足が生じることを懸念する声もある。

　「現時点では、NAND型フラッシュメモリ（の価格）はまだ下がっているが、品不足が起きれば（メーカーは）価格を上げようとするだろう。メーカー各社は今は市場シェアを拡大しようとしており、そのために価格を下げなくてはならない」

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