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「PCM」――近々ブレイク？のメモリ

公開 2009年11月13日 14時37分

更新 2009年11月13日 02時37分

著者

海上忍

[ITmedia]

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DRAMとフラッシュメモリの「中間」

DRAMより省エネでフラッシュメモリより高速な不揮発性メモリ「PCM」（画像は2008年にIntelとSTMicroelectronicsが共同開発した試作品）

　わたしたちが普段「メモリ」と呼ぶデバイスには、大きく分けて2つの種類があり、それぞれ一長一短の特性を持つ。もっとも広範囲に使用されているDRAM（Dynamic Random Access Memory）は、アクセス速度などパフォーマンスに優れるが、消費電力が多く電源が切れるとデータが消えてしまう（揮発性）。小型機器に採用例の多いNAND型フラッシュメモリは、電源が切断されてもデータは残る不揮発性で製造コストが低く、データの運搬に適しているが、パフォーマンスの点でDRAMに見劣りする。

　そこでいま注目を集めているのが「相変化型メモリ」（Phase Change Memory：PCM）。製造コストの低さはNAND型フラッシュメモリに及ばないものの、DRAMに比べれば有利。読み取り速度はDRAMなみとされ、NAND型フラッシュメモリを大きく超える。書き換え寿命についても、NAND型フラッシュメモリよりはるかに上。DRAMとNAND型フラッシュメモリに譲る部分はあるが、両者の中間としての存在価値および需要は確かだ。

バランスのよさが利点

　エンジニアがデジタルデバイスを設計するときには、性能とコストのバランスを重視する。そのバランスという観点から、PCMが注目される理由を考えてみよう。

　1つは、パフォーマンスを大きく落とすことなく電力消費量削減を図れること。DRAMの代替としてPCMを採用すれば、20％前後の消費電力を削減できるともいわれることから、結果としてバッテリー寿命の向上に貢献する。

　もう1つは、不揮発性の獲得。揮発性のDRAMは電源オフとともにデータは消えるが、PCMはフラッシュメモリ同様に電源オフ後もデータを保持できる。しかも、書き込み時のレイテンシはNAND型フラッシュメモリの100分の1程度と、パフォーマンス的にも有利だ。

　PCMのもうひとつの強みとして、微細化が比較的容易ということが挙げられる。PCMの記憶素子に使われるカルコゲナイドは、熱を加えると抵抗レベルの異なる2種類の結晶構造のうち一方に変化し、その違いで0か1かを区別するため、原理的に微細化しやすい。

フラッシュメモリの置き換えはしばらく先

　PCMが搭載されるデバイスだが、当面は携帯電話とスマートフォンが有力視されている。生産コストがNAND型フラッシュメモリに比べ高いため、代替が進むとすればNOR型フラッシュメモリ（NAND型に比べ高速なランダムアクセスが可能、ハイエンド向け）からで、市場の大きいNAND型フラッシュメモリはその次となることが予想される。いずれにせよ量産化は今年開始されたばかり、来年以降の動きに注目だ。

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