東芝とSanDisk、90ナノ・4GビットNANDフラッシュを開発
米SanDiskとは4月6日、0.09μメートル（90ナノメートル）プロセスを採用した4GビットのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。第3四半期から大量生産する。
0.09μメートルプロセスの2Gビット品にSanDiskの多値技術（Multi-Level Cell）を導入、セル当たりの容量を2倍に向上させ、最大容量を4Gビット（512Mバイト）に引き上げた。
同製品を2層重ねることで、8Gビット品も生産可能。コンパクトフラッシュなら、8Gビット品を4枚内蔵して最大4Gバイトにできる。
4Gビット品の生産は、両社の合弁会社フラッシュビジョン（三重県四日市市）で行われる。
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