DRAMで高速SRAM並みアクセス エルピーダが超高速技術を開発
エルピーダメモリは6月28日、DRAMを超高速化する技術を開発したと発表した。汎用DRAMプロセスで高速SRAM並みランダムアクセス時間を実現する技術と、DDR1/DDR2共存チップで高速データレートを可能にする1GビットDRAM回路技術の2件。
1件目は日立製作所と共同開発。1ビット当たり2個のメモリセルを使った高速メモリアレイと、超高感度メインアンプを採用した「3ステージセンシング」と呼ぶデータ増幅方式で構成。高速SRAM並みとなる4.8ナノ秒のランダムアクセス時間、SRAMの4倍となる集積度144Mビットを達成した。ネットワークルータやサーバのキャッシュメモリ用途を想定している。
2件目は、DDR1/DDR2共存チップの高速技術。両規格を1チップに共存させながら、アクセス速度を犠牲にせずに最小のレイアウト面積で済むようにし、データレートはDDR1で400Mbps、DDR2で800Mbpsを達成。0.10μメートルプロセスで1Gビットチップを試作し、高い歩留まりで高速データレートを得られることを確認した。
成果は6月17日から米国ホノルルで開催された「2004 Symposium on VLSI Circuits」で発表した。
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