エルピーダとNEC、DRAMのリーク電流低減技術を開発
エルピーダメモリは12月17日、NECシステムデバイス研究所と共同で、高性能DRAMのリーク電流低減技術を開発したと発表した。同技術を適用すれば、DRAMのデータ保持特性が2倍にアップし、歩留まり向上につながるという。エルピーダ全製品に適用する。
リーク電流発生の原因が、セルトランジスタ内にある10ナノメートル程度の結晶欠陥にあると世界で初めて突き止めた。同欠陥は、数ナノメートルの欠陥が、セルトランジスタの歪み集中場所に集まることにより形成されるという。
両社は、歪み集中を引き起こしている材料を特定し、熱処理を加えて分布を最適化。これによりリーク電流を低減し、データ保持特性を従来の2倍に向上させた。
DRAMは、メモリセルに接続したキャパシタの電荷が漏れるとデータ保持不良となる。素子の微細化が進むにつれてメモリセルサイズが縮小し、リーク電流が増大するため、高性能なDRAMを量産するにはリーク電流の低減が不可欠だった。
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