富士通とエプソン、FRAM共同開発で合意
富士通とセイコーエプソンは6月15日、不揮発性メモリ・FRAMの次世代技術を共同開発することで合意したと発表した。両社のFRAM材料や微細化技術などを持ち寄り、2006年上半期を目標に高集積化したFRAM開発に取り組む。
FRAMは、電源を切っても記録内容を保持できる不揮発性メモリ。フラッシュメモリやEEPROMと比べ、高速な読み書きと低消費電力といった特徴がある。富士通は2004年に1Mビットチップの量産化に成功しているが（関連記事参照）、広くさまざまな用途に使用するにはさらなる大容量化が課題だ。
共同研究では、従来のメモリセル面積を約6分の1にした高集積化技術を開発する。また書き換え回数の制約が極めて少ないメモリコアのプロセス技術確立を目指す。
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