Intel、45nmプロセスのチップ製造に成功
米Intelは1月25日、45ナノメートル（nm）プロセスを使って完全に機能するSRAMチップの製造に初めて成功したと発表した。
この成功を受け、2007年から45nm技術を使った300ミリウエハーからの半導体製造に着手する計画。新しい製造技術を2年ごとに導入することで、ムーアの法則の限界に挑み続けるとしている。
45nmプロセスで製造されたチップは、現在のチップに比べて電力漏れが5分の1に抑えられるため、携帯機器のバッテリー持続時間向上につながり、さらに小型でパワフルなプラットフォームを実現できると説明している。
45nm技術の開発は米オレゴン州にある同社の半導体製造施設D1Dで進められているほか、現在アリゾナ州とイスラエルで建設中のFab 32とFab 28でも45nmプロセスを導入する。
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