東芝・ソニー・NECエレが45nm量産技術を共同開発

　東芝、ソニー、NECエレクトロニクスの3社は12月14日、45ナノメートル（nm）世代の高性能LSI向け量産技術を共同開発したと発表した。トランジスタの性能は前世代から30％以上の高速動作が可能という。3社は45nm世代向けに高性能版と低消費電力版のプロセスを並行開発しており、低消費電力版は2007年の開発完了を目指している。

　歪みシリコン技術やLow-k（低誘電率）絶縁膜などの要素技術を最適に統合。トランジスタの高速動作に加え、ゲート絶縁膜の長寿命化も確認した。プロセスは液浸露光装置で構築し、SRAMセルを世界最小クラスに微細化した。多層配線部分は配線歩留まりが約98％と、量産対応が可能なレベルの完成度を実証したとしている。

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