UCLAとCaltech、超高密度分子メモリを開発
カリフォルニア大学ロサンゼルス校（UCLA）とカリフォルニア工科大学（Caltech）は1月24日、再構成可能な分子スイッチを用いて情報を記録する「超高密度」メモリデバイスの開発に成功したと発表した。新メモリの開発により、将来的には今日のシリコンベースのコンピュータよりも、より小型かつ高性能なシステムの開発が期待できるという。
160キロビットの新メモリでは、400本のナノワイヤ上にさらに400本のナノワイヤが垂直に交差している。この交差部分にある約300個の双安定ロタキサン分子がストレージ素子として機能する。この分子は2つの異なる状態の間で切り替わり、それがオン、オフのスイッチの機能を果たすという。
新分子メモリは1平方センチ当たり1000億ビットの密度で設計されている。
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