Samsung、16GビットNAND型フラッシュメモリ、量産開始
韓国Samsung Electronicsは4月29日、51ナノメートル（nm）プロセスによるマルチレベルセル（MLC）型16GビットNAND型フラッシュメモリの量産を開始したと発表した。
同社によれば、60nmプロセスに比べ、51nmプロセスでは60％以上も効率よくNAND型フラッシュメモリを製造できるという。同社が60nmプロセスによる8Gビットのフラッシュメモリの量産を発表したのは昨年8月。
読み出し速度は60nmフラッシュメモリの毎秒17Mバイトから毎秒30Mバイトに、書き込み速度も毎秒4.4Mバイトから毎秒8Mバイトへと大幅に向上した。60nmフラッシュメモリが2Kバイトのページサイズを採用しているのに対し、51nmフラッシュメモリは4Kバイトのページサイズを処理できるためという。
Samsungは、16GビットNAND型フラッシュメモリは急速に市場に浸透し、今年後半には市場の主流になると予測する。2010年までの同フラッシュメモリの売り上げ総計は、210億ドルを見込んでいる。
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