Intel、同社初の「45nm量産施設」の稼働開始
米Intelは10月25日、米アリゾナ州チャンドラーの製造施設Fab 32の稼働開始を発表した。
同社が30億ドルを投じた300ミリウエハー製造施設で、45ナノメートル（nm）製造プロセスを採用。同プロセスの採用ではオレゴン州の開発施設D1Dに次いで同社で2番目、量産施設としては同社初となる。プロセッサの生産開始は11月12日を予定している。
Fab 32は広さ18万4000平方フィート。製造面で最新技術を採用しただけでなく、電力や工業用水の節減などに努めた「当社で最も環境に優しい施設」で、米環境性能評価システム（LEED）の認定を受けたいとしている。
同社では、Fab 32に次ぐ「45nmプロセス・300ミリウエハー」製造施設として、2008年にはイスラエルのFab 28、米ニューメキシコ州のFab 11xの2施設の稼働を予定している。
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