IntelとMicron、従来より高密度のフラッシュメモリ開発
米Intelと米Micron Technologyは8月11日、34nm（ナノメートル）プロセスを使った3ビット/セル（3bpc）マルチレベルセル（MLC）NANDフラッシュメモリを開発したと発表した。従来よりも大容量のフラッシュメモリが可能になる。
このフラッシュメモリは1セル当たり3ビットのデータを記録するため、現行の標準の2ビット/セル技術よりも大幅に記録密度が高い。高密度化によって小型化も可能になるため、3bpc 32ギガビットチップは、126平方ミリという業界最小サイズになるとしている。
3bpc 32ギガビットフラッシュメモリはIntelとMicronの合弁会社であるIM Flash Technologies（IMFT）が設計、製造する。現在はサンプル出荷の段階で、第4四半期に量産に入る予定。
米SanDiskと東芝も3ビット/セルのフラッシュメモリを開発しており、今年下半期に量産を開始するという。
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