Samsung、20nmフラッシュメモリ生産開始
Samsung Electronicsは4月19日、20nm（ナノメートル）プロセスを使ったNAND型フラッシュメモリチップの生産に入ったと発表した。
20nmフラッシュメモリチップはMLC（マルチレベルセル）構造で容量は32Gビット。SDカードなどに使われる。従来の30nmクラスのフラッシュメモリと比べ、30％高速という。
20nmフラッシュメモリは現在サンプル出荷中。年内に生産を拡大し、4G～64Gバイトのメモリカード向けに提供する予定という。
Samsungは、20nmフラッシュメモリ生産は業界初とし、30nmフラッシュメモリからわずか1年で次世代の20nmクラスに到達したと述べている。
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