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東芝、世界最小の19ナノメートルプロセスNANDフラッシュを開発、量産開始へ：書き込み速度も世界最高クラス
東芝は、第2世代19ナノメートルプロセスによる64GビットNANDフラッシュメモリを開発し、量産を開始すると発表した。従来モデルと比べ、本体サイズが小さくなった。
東芝は5月21日、第2世代19ナノメートルプロセスを用いた新型NANDフラッシュメモリを開発し、2013年5月に量産を開始すると発表した。
新製品では周辺回路の工夫により、2ビット／セルの64GビットNANDフラッシュメモリとしては世界最小（2013年5月21日現在、東芝調べ）の94平方ミリメートルというサイズを実現した。同社独自の高速書き込み回路方式により、書き込み速度は25Mバイト／秒に達したという。
また、第2世代19ナノメートルプロセスを採用した3ビット／セル版も開発しており、2013年第2四半期に量産を開始する予定だ。eMMC対応のコントローラも新しく開発し、スマートフォンやタブレット、そしてSSDへの対応も進めるという。
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同社は第1世代19ナノメートルプロセスを採用したNANDフラッシュメモリを2011月4月に発表。NANDフラッシュメモリを搭載するSSDや、NANDフラッシュメモリを内蔵したHDD「ハイブリッドドライブ」を開発していた。
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