96層QLCの「Intel 665P」をデモ　さらに144層QLCへ――「Intel Memory & Storage Day」レポート（2/4 ページ）

144層QLC NANDも準備中　1セルあたり5bit記録も

　イベントの基調講演では、Intelの3D NANDフラッシュの技術的な優位性やロードマップも示された。

　Intelの3D NANDフラッシュメモリは、データの記録に「フローティングゲート（浮遊ゲート）方式」を採用していることを強調。この方式は、競合他社が採用している「チャージトラップ（電荷捕獲）方式」に比べて、データの保持能力が高く、耐久性で有利なことが特徴だ。層間での電気的干渉が無いことから多層化も容易で、データセンター向け製品として2020年内にも144層モデル（開発コードネーム「Arbordale+」）を投入するロードマップが公開された。

　さらに、「1セルあたり5bit記録」についても、製品化を前提に評価を進めていることも明らかにされた。1セルあたりに4bitを記録するQLC NANDは、16段階の電圧操作を必要としている。それに対して1セルあたり5bitを記録する5bit/CELLでは、1セルあたりの記録容量をQLCの1.25倍に増やせる一方、電圧操作は32段階と難易度が上がることになる。