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「フラッシュメモリ」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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市場調査会社のYole Groupは、DRAMおよびNAND型フラッシュメモリ(以下、NAND)の市場分析を発表した。2023年のDRAM/NANDの売上高は供給過剰で価格が下落し2016年以来の低水準となったが、2024年にはデータセンター/民生機器などの需要増と各社の戦略的減産によって需給バランスが正常化し、市場が回復に向かう見込みだという。

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ADAS(先進運転支援システム)の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン/SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン/SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース(I/F)では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。

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半導体市場の本格的な回復が予想されている2024年。鍵を握るのがメモリだ。本稿では、DRAM/NAND型フラッシュメモリの価格推移と企業別売上高の動向から、半導体市場の回復基調の時期を探る。さらに、そこから読み取れる、メモリメーカーの“栄枯盛衰”を示す。

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東芝デバイス&ストレージ(東芝D&S)は、Arm Cortex-M3搭載マイコン「TXZ+ファミリー アドバンスクラス」として新たに、「M3Hグループ(2)」を発表した。コードフラッシュメモリの容量を1Mバイトに拡大し、2エリア構成とした。これにより既存のコードを実行中でも、ファームウェアの更新を容易に行うことができるという。

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