Rambus、DDRメモリコントローラの設計を提供
メモリ設計会社の米Rambusは5月10日、DDRメモリコントローラインタフェースセルを半導体設計企業向けに提供開始したと発表した。製品を市場に投入するまでの時間をさらに短縮させるシステムエンジニアリングサービスも併せて提供する。
RambusのDDRメモリコントローラインタフェースセルは800MHzまでのDDR1／DDR2と、1600MHzまでのGDDR1／GDDR2／GDDR3をサポート。半導体設計企業がこれを自社の設計に組み込むことで、製品の開発期間を推定6～9カ月短縮できるほか、設計上のリスクも最低限に抑えられ、大幅なコスト削減につながるとRambusは説明。メモリインタフェース部門副社長のローラ・スターク氏は「メモリインタフェースにRambus DDRソリューションを採用することで、別の重要部分に全力を注ぐことが可能になる」と述べている。
家電およびグラフィックスアプリケーション向けのDDRメモリコントローラインタフェースセルは即日提供開始、メインメモリアプリケーション用も間もなく提供予定だとしている。
Rambusは自社のメモリ技術に関連して先日、DRAMメーカー4社を独禁法違反で提訴している。
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