東芝、NAND型フラッシュ特許侵害でHynixを提訴
東芝は11月9日、同社が保有するフラッシュメモリ関連特許を侵害したとして、韓国Hynix Semiconductorの日本法人、ハイニックス・セミコンダクター・ジャパンを相手取り、販売差し止めと損害賠償を求める訴訟を11月8日付けで東京地裁に起こしたと明らかにした。アメリカでも11月8日付けで、NAND型フラッシュとDRAMの特許を侵害したとして、同様の訴訟を起こした。
東芝が国内で侵害されたと訴えているのは、NAND型フラッシュメモリの回路構造などに関する特許3件。アメリカではNAND型フラッシュメモリに関する特許4件と、DRAM特許3件の侵害を訴えている。
東芝はHynixと、NAND型フラッシュに関するクロスライセンスを1996年に締結したが、2002年に契約が切れた。東芝は契約更新を求めてきたが、Hynixが応じなかったため提訴に踏み切った。
東芝は、1980年代にDRAM技術で先行したが、技術が海外流出。1990年代に韓国などアジア勢にシェアを奪われ、汎用DRAM撤退に追い込まれた経験がある（関連記事参照）。
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