Intel、組み込み向けのNORフラッシュメモリ発表
Intelは4月7日、組み込み機器市場向けのNORフラッシュメモリ「StrataFlashエンベデッド・メモリ」（P30）を発表した。高性能でコストパフォーマンスの高いメモリとして、家電、産業用機器、有線通信など組み込み分野向けの売り込みに当たる。
P30はIntelの第4世代「Multi-Level Cell」技術を採用。組み込み市場ではフラッシュメモリの高性能化と高密度化が求められており、この技術は特にデジタルカメラ、ルータ、スイッチ、携帯端末などのプラットフォームに適しているという。
容量は64Mビット～1Gビットの製品を提供。デベロッパーにとってはアップグレードが容易で、再設計の必要がなくコスト抑制につながるとしている。
64M～512Mビットの製品は4～6月期中に提供開始予定で、ロイヤリティフリーのフラッシュメモリソフトと組み合わせることも可能。1Gビットの製品は今年下半期に提供予定。
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