TSMC、2005年内に65ナノチップ生産を開始
台湾の半導体受託生産（ファウンドリ）大手Taiwan Semiconductor Manufacturing（TSMC）は4月28日までに、65ナノメートルプロセスによるチップ生産を今年12月に開始すると発表した。
ASMLと共同開発した液浸リソグラフィを採用する最初のプロセス。歪みシリコン（Strained Silicon）技術の導入や、コバルトからニッケルへのシリサイドの変更はあるが、90ナノメートルプロセスからの変更は最小限に抑え、歩留まり低下を抑える。製造は300ミリウエハーに対応したFab12（台湾）でスタートし、Fab14（同）にも導入する予定。
既に昨年4月に65ナノプロセスによるSRAMを製造済み。Alteraなど数社がロジックやメモリを含む設計のテープアウトを終えており、試作品も納品済みだとしている。
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