東芝とNECエレ、包括提携を検討 45ナノLSI技術を共同開発
東芝とNECエレクトロニクスは11月9日、45ナノメートル世代のCMOSロジックプロセス技術を共同開発することで合意したと発表した。莫大な開発リソースを投じる必要がある先端プロセスのシステムLSI技術開発を分担することで負担を抑えつつ、それぞれ競争力を高めるのがねらい。両社は今後、包括的な提携関係の構築も検討する。
具体的には（1）CMOS基幹プロセスは東芝の拠点に技術者を集めて共同開発、（2）開発成果のプロセス技術は両社が生産拠点で展開──の2点で合意した。混載技術などの付加プロセスなどは個別に扱いを決める。
提携をきっかけに、今後は設計環境や製品開発などの開発分野に加え、生産面でも設備投資効率や稼働率を向上させるなど、包括的な協力関係の構築についても検討。システムLSI分野で世界的競争に勝ち残れるよう体力強化を共同で図っていく。
先端システムLSIは90ナノ～65ナノ世代に移行しつつあるが、新プロセスの開発には巨費を投じる必要があるため、開発を効率化するためLSI各社の合従連衡が進んでいる。
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