IBMの新液浸技術は国内材料メーカーの成果
半導体の線幅29.9ナノメートルを達成した米IBMの新液浸露光技術（関連記事参照）は、国内高分子化学メーカーのJSRが開発した技術の成果でもある。
IBMの新技術は、2004年末にJSRが発表した高屈折率液体と、JSR製アルゴンフッ素（ArF）レジストを使って実験し、30ナノメートル以下の露光に成功した。両社は半導体製造技術で従来から協力していた。
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