東芝とNEC、MRAM基盤技術を確立
東芝とNECは6月6日、次世代不揮発性メモリ・MRAMを256Mビット級に大容量化するのに必要な基盤技術を確立したと発表した。
記憶素子（磁気トンネル接合素子、MTJ素子）の形状や最適化による誤書き込み防止技術や、配線構成の改良・電流駆動の最適化による低電圧動作と高速読み書きを可能にする回路技術、各種プロセス技術──で構成する。
基盤技術による16MビットMRAMチップ
同技術による16Mビットチップを使い、256Mビットまで高集積化した場合でも動作することを検証した。また、書き込み電流値を世界最小の約4ミリアンペアに低減できた。プロセスは130ナノメートルCMOSと240ナノメートルMRAMを用いた。
MRAMは高速な読み書き性能と、フラッシュメモリのように電源を切っても記憶内容を保持する不揮発性を併せ持つ次世代メモリ。東芝とNECは2002年度から共同開発を進めている。
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