Samsung、40nmプロセスの32GビットNAND型フラッシュメモリ開発

公開 2006年09月12日 08時01分

更新 2006年09月12日 08時00分

[ITmedia]

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　韓国Samsungは9月11日、40ナノメートル（nm）技術による容量32GビットのNAND型フラッシュメモリを開発したと発表した。新製品は、同社開発のCharge Trap Flash（CTF）アーキテクチャを採用した初のメモリとなる。

　新メモリはセル間ノイズレベルを大幅に低減させることで、信頼性を向上させている。またCTF技術により、現在の40nmから30nm、さらに20nmプロセスまでのスケーラビリティ、容量は256Gビットまでが実現できるという。

　現在多くのフラッシュメモリではFloating Gate技術を採用、コントロールゲートにポリシリコンを使用している。CTFではこれに窒化タンタル（TaN）を使用することで、サイズを従来の20％まで縮小。またFloating Gateに代わり、データを一時的に窒化ケイ素（SiN）によって形成された非伝導性層の「holding chamber」に置く。これによりコントロールゲートのみのシングルゲート構造を実現した。

　CTF技術は、タンタル、酸化アルミニウム、窒化物、酸化物、シリコンから構成されるTANOS構造を採用している。

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