NECエレ、55ナノDRAM混載LSIを来年後半に量産化
NECエレクトロニクスは11月7日、55ナノメートルのシステムLSIに大容量DRAMを混載するプロセス技術を開発したと発表した。携帯電話やゲーム機など向けに2007年後半をめどに製品化し、量産する計画だ。
90ナノのDRAM混載LSIで製品化している技術を応用。高誘電率（High-k）ゲート絶縁膜を使うことでトランジスタのオン電流を約2割増加させたほか、寄生抵抗の上昇も抑制し、高速動作を可能にした。
製品化すれば、90ナノの混載チップに比べ集積度を高めながら消費電力も削減できる。高度な画像処理と低消費電力の両立が要求される分野を中心に製品化を図っていく。
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