SRAM同等の高速MRAM、NECが開発
MRAMチップ
NECは11月30日、MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗メモリ）で、SRAMと同等の高速動作を実現したと発表した。今後、システムLSIへの混載に向けた研究開発を進める。
容量1Mビットのチップで、世界最高速となる250MHz動作の実証実験に成功。データ出力までの所用時間は3.7ナノ秒と、高速動作を確認した。
MRAMは、電源を切ってもデータを保持する不揮発性に加え、消費電力をSRAMの約半分に抑えられるのが特徴。SRAM並みの高速性を達成することでLSI混載の道が開け、今後はLSIに組み込んだ形での動作検証を目指す。
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