NEC、LSI組み込み向けMRAM基本技術を開発
NECは7月14日、次世代LSIへの組み込みに適したMRAM（Magnetoresistive Random Access Memory：磁気抵抗メモリ）セルの基本技術を開発したと発表した。
MRAMは、一般的にシステムLSI組み込みに使われているSRAMと同等のスピードと、電源オフでもデータを保持できる不揮発性を兼ね備える次世代メモリ。LSIに組み込む場合、SRAMと同等である100MHz超のランダムアクセス動作周波数の実現が課題だった。
新技術では、ランダムアクセス周波数のネックになっていた電流・信号増幅回路の単純化に成功し、書き込みで200MHz以上、読み出しで500MHz以上と高速化が可能なことをシミュレーションで実証したという。今後は実チップに組み込んだ動作検証を目指して開発を進める。
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