5倍高速なNAND型フラッシュ、IntelとMicronが発表

　米Intelと米Micron Technologyは2月1日、従来よりも5倍高速なNAND型フラッシュメモリ技術を発表した。

　この技術は両社が共同開発したもので、両社の合弁企業IM Flash Technologies（IMFT）が製造に当たる。読み込み速度は最高で200Mバイト/秒、書き込み速度は最高で100Mバイト/秒。NANDフラッシュ推進団体Open NAND Flash Interface（ONFi）の新しい仕様と4プレーン型アーキテクチャを採用したことで高速化を実現したという。従来のシングルレベルセルのNANDフラッシュは、読み込み40Mバイト/秒、書き込み20Mバイト/秒。

　この新しい高速NANDを、例えばハイブリッドHDDに採用した場合、従来のHDDよりも2～4倍高速にデータを読み込み、書き込みできると両社は述べている。また策定中のUSB 3.0仕様と併用すればさらなる高速化が可能だとしている。USB 3.0は現行のUSB 2.0の10倍の転送速度を目指している。

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