IBM、AMDら5社、22nmプロセスのSRAM開発に成功
米IBMは8月18日、パートナー企業らとともに、「世界初の」22ナノメートル（nm）プロセスのSRAM開発に成功したと発表した。パートナーにはAMD、Freescale、STMicroelectronics、東芝とニューヨーク州立大学アルバニー校ナノテク研究センター（CNSE）が名を連ねる。このSRAMは米ニューヨーク州アルバニーのIBMの研究施設で製造された。
22nmは2世代先の技術。次世代は32nmプロセスで、IBMは既にパートナー企業らとともにHigh-k（高誘電率）／メタルゲート素材を用いた32ナノメートル（nm）半導体技術を共同開発している。
新SRAMは従来の6トランジスタ設計を用いており、セル面積は0.1平方マイクロメートル。High-k（高誘電率）／メタルゲート素材、ゲート長25nm以下のトランジスタ、薄いスペーサーなどの技術により、開発に成功したとしている。
この成果については2008年12月にサンフランシスコでIEEEが開催する国際電子デバイス会議（IEDM）で発表する予定。
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