ニュース
» 2007年12月11日 09時12分 UPDATE

IBM、AMDら6社、次世代High-k/メタルゲート32nm製造技術で提携

IBMら6社が、High-k/メタルゲート製造技術で提携した。

[ITmedia]

 IBM、AMD、Chartered Semiconductor Manufacturing、Freescale、Infineon、Samsungは12月10日、High-k(高誘電率)/メタルゲート素材を用いた32ナノメートル(nm)半導体技術を共同開発することを明らかにした。

 6社は、ゲートを初めに形成するプロセス、通称「high-k gate-first」をもとにした手法を採用。半導体メーカーが、半導体の性能を向上、消費電力を削減しつつ、よりスムーズにHigh-k/メタルゲート製造技術へ移行できるようにする。IBMと提携企業は、2009年後半に新技術による半導体製造を開始する予定という。

 High-k/メタルゲート技術により、6社は従来技術によるチップと比較して、実験で最高50%ものサイズ縮小に成功。また消費電力を約45%節減でき、性能面でも最高30%アップが立証されたという。

 6社は「high-k gate-first」手法によるCMOS技術を開発、また同手法を用いた32nmプロセスによる、セルサイズ0.15平方マイクロメートル以下のSRAM製造にも成功している。

 さらに6社はhigh-k技術を、32nmによるSilicon-On-Insulator(SOI)技術にも活用していく。これによりトランジスタ速度は30%以上の高速化が見込まれるという。

関連キーワード

IBM | 32nmプロセス | 半導体 | AMD | CMOS | 次世代


Copyright© 2016 ITmedia, Inc. All Rights Reserved.

Loading

ピックアップコンテンツ

- PR -

マーケット解説

- PR -