IBM、AMDら6社、次世代High-k／メタルゲート32nm製造技術で提携

　IBM、AMD、Chartered Semiconductor Manufacturing、Freescale、Infineon、Samsungは12月10日、High-k（高誘電率）／メタルゲート素材を用いた32ナノメートル（nm）半導体技術を共同開発することを明らかにした。

　6社は、ゲートを初めに形成するプロセス、通称「high-k gate-first」をもとにした手法を採用。半導体メーカーが、半導体の性能を向上、消費電力を削減しつつ、よりスムーズにHigh-k／メタルゲート製造技術へ移行できるようにする。IBMと提携企業は、2009年後半に新技術による半導体製造を開始する予定という。

　High-k／メタルゲート技術により、6社は従来技術によるチップと比較して、実験で最高50％ものサイズ縮小に成功。また消費電力を約45％節減でき、性能面でも最高30％アップが立証されたという。

　6社は「high-k gate-first」手法によるCMOS技術を開発、また同手法を用いた32nmプロセスによる、セルサイズ0.15平方マイクロメートル以下のSRAM製造にも成功している。

　さらに6社はhigh-k技術を、32nmによるSilicon-On-Insulator（SOI）技術にも活用していく。これによりトランジスタ速度は30％以上の高速化が見込まれるという。

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