IBM、世界初の2nm半導体技術を発表　バッテリー寿命は7nmの4倍

公開 2021年05月07日 09時04分

更新 2021年05月07日 09時04分

[ITmedia]

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　米IBMは5月6日（現地時間）、同社研究部門IBM Researchで製造した300mmウェーハ上で、2nmプロセスチップを生み出したと発表した。7nmプロセッサと比較して、約45％の性能向上、あるいは同じ性能レベルでの約75％の電力削減になるとしている。例えば、スマートフォンのバッテリー寿命を4倍にする可能性がある。

300mmウェーハ上の2nmプロセスチップ（画像：IBM）

　第2世代ナノシート技術が2nmノードへの道を開いたとしている。これにより「500億個のトランジスタをほぼ指の爪のサイズのスペースに収めることができる」という。IBMは米AnandTechに対し、指の爪のサイズとは150平方mmのことだと説明した。つまり、トランジスタ密度は1平方mm当たり3億3333万トランジスタということになる。ちなみに台湾TSMCの5nmチップのトランジスタ密度は1平方mm当たり1億7130万トランジスタだ。

　IBMは2nmの利点として、スマートフォンのバッテリー寿命延長の他、データセンターの二酸化炭素排出量削減、ノートPCの大幅な高速化、自動運転車の物体検出と反応時間の短縮などを挙げた。

　ただし、IBMの2nmチップがデビューするのはまだ数年先のようだ。同社は米PC Magazineに対し、向こう3年間で2nmプロセスを改良する計画だと語った。また、製造は韓国Samsungを含むパートナーに委託する計画という。

　IBMは2015年に7nm、2017年に5nmを最初に実証した。2nmプロセスについては昨年8月、TSMCも取り組んでいると報じられた。