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IntelとMicron、SSD容量を3倍にする新型の3次元NANDフラッシュメモリを開発
IntelとMicron Technologyは、従来の3倍の容量となる3次元NAND型フラッシュメモリの発表を行った。
IntelとMicron Technologyはこのほど、従来の3倍の容量となる3次元NAND型フラッシュメモリの発表を行った。
従来の平面構造フラッシュを改良した“フローティング・ゲート・セル”を採用した技術で、フラッシュ・セルを垂直に積層することにより競合製品と比較し3倍の容量を実現可能としたのが特徴。フラッシュ・セルを32層重ねることで、MLCで256Gビット、TLCで384Gビットのダイを実現しており、板ガムサイズのSSDで3.5Tバイト以上、2.5インチSSDで10Tバイト以上のストレージ容量を搭載することが可能となった、としている。
256GビットMLC 3D NANDについては本日より一部パートナー向けにサンプル出荷を開始。384GビットTLC 3D NANDは今春後半にサンプル出荷される予定だ。
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