最新記事一覧
パナソニック スマートファクトリーソリューションズは2021年11月26日、大阪府豊中市の同社事業所内に、青色レーザー加工機の用途開拓や共同研究を行う拠点として、プロセス実証センター「Advanced Material Processing Connect Lab（AMP Connect Lab）」を同年12月1日に開設すると発表した。同センターで検証を進めた青色レーザー加工機を2022年度に製品化する計画だ。
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今回からは、高性能コンピューティング（HPC）向けパッケージング技術「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate、コワース）」を解説する。
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三菱電機は、5〜85℃で動作可能な100Gビット/秒の光トランシーバー向けレーザーダイオードチップ「ML7CP70」を開発した。2021年11月1日からサンプル提供を開始する。
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ソシオネクストは、高エネルギー加速器研究機構、京都大学、大阪大学と協力し、宇宙線のミュオンおよび、中性子によって生じるソフトエラーは、その特徴が異なることを実験によって解明した。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、大きなトレンドになりつつあるSRAMの3D Stacking（3D実装）についてお届けする。
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東京工業大学は、抵抗変化型ガスセンサーの電極間隔（ギャップ長）を20nmと狭くしたナノギャップガスセンサーを開発した。ギャップ長が12μmの一般的な酸素ガスセンサーに比べ、約300倍の応答速度を実現した。
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オンラインで開催されている「COMPTEX TAIPEI 2021」で、Micron Technologyが基調講演を行い、最新のフラッシュメモリ製品や次世代製品の取り組みを紹介した。
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「IEDM2020」から、imecでTechnology Solutions and Enablement担当バイスプレジデントをつとめるMyung‐Hee Na氏の講演内容を紹介する。CMOSを3nm以下に微細化するための要素技術を解説する講演だ。
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Apple「iPhone 12」シリーズを皮切りに、ハイエンドスマートフォン市場では5nmプロセスを適用したプロセッサを搭載したモデルが続々と投入されている。一通り出そろった5nmチップを比較してみよう。
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近年、IoT機器などを使用して収集した「ビッグデータ」を格納する手段として磁気テープが再注目されている。約60年間磁気テープを製造する富士フイルムの大月英明氏に、最新の磁気テープについて話を聞いた。
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TrendForceは2021年4月15日、Southern Taiwan Science ParkにあるTSMCの工場「Fab14 P7」で停電が発生したと報じた。それによると停電が発生したのは4月14日で、TSMCは現在、仕掛かり品を含め、被害状況を確認中だという。
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Micron Technology（以下、Micron）は2021年1月26日（米国時間）、1α（アルファ）nm世代を適用したDRAM製品の量産出荷を開始したと発表した。
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今回は、異種デバイスの融合を実現する3次元（3D）集積化技術の概要を説明する。
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2020年は、米国と中国の貿易戦争に通信業界が巻き込まれた1年だった。中国メーカーのパワーバランスもこの歴史的な大きな2つの出来事により大きく変わろうとしている。中国大手4社の2020年の動きを振り返りながら、2021年の展望を予想してみた。
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東北大学の研究グループは、直径が原子10個程度（2.3nm）と極めて小さい磁気トンネル接合（MTJ）素子を開発した。150℃の高温環境でも高いデータ保持特性を維持し、10ナノ秒という高速低電圧動作が可能なことも確認した。
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中国の新興企業であるYangtze Memory Technologies Corp（YMTC）は、今後数年間で競合先にライセンス供与する可能性が高いNAND型フラッシュメモリ技術で、Samsung Electronics（以下、Samsung）やMicron Technology（以下、Micron）をリードする構えだ。YMTCの元代理チェアマンであるCharles Kau氏が明らかにした。
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今回は、配線製造プロセスの基本部分である、配線パターンの形成技術「ダマシン（damascene）技術」と「サブトラクティブ（subtractive）技術」にについて解説する。
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今回から、多層配線の微細化と性能向上を両立させる要素技術について解説していく。
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Apple Silicon連載、ついに最新プロセッサ「A14」に追いつく。
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高度なCMOSプロセスの微細化やメモリ技術の進化に伴い、デバイス製造における構造がますます複雑化しています。そうした中で、デバイス製造を支援する仮想製作モデリングプラットフォームを紹介します。
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Teledyne e2vは、ToF（Time of Flight）方式のCMOSイメージセンサー「Hydra3D」を発表した。屋内外で活用されるロボットや無人搬送車などの用途に向ける。
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ザイリンクスは、放射線耐性を有する航空宇宙グレードのFPGA「Kintex UltraScale XQRKU060」を発表した。ML機能の実装と超広帯域幅の通信が可能で、衛星および宇宙アプリケーションでの利用を見込む。
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ザイリンクスは、20nmプロセスを用いた航空宇宙分野向けのFPGA「Kintex UltraScale XQRKU060（以下、XQRKU060）」を発表した。衛星および宇宙アプリケーション向けに設計されており、放射能耐性に優れ、高スループットで広帯域幅の通信を可能とする。
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米国の市場調査会社IC Insightsによると、2009〜2019年に閉鎖／転用された半導体工場は、世界で計100カ所に達したという。近年相次ぐ半導体メーカーの買収／合併や、ファブライト／ファブレスへの移行および効率化を求めた古いファブの閉鎖や転用が要因だ。
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慶應義塾大学は、ニッケルとシリコンの複合材料を用い、逆方向のスピン波（磁気の波）振幅を、順方向に比べ12分の1以下に低減できることを発見した。
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電力中央研究所と早稲田大学、Fluximの共同研究グループは、二重構造を持つ半導体ナノ結晶を用いて、これまでより大きな光電流増幅効果を持つ電界効果トランジスタを作製することに成功した。
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東京工業大学とソシオネクストの研究グループは、5nmのFinFET CMOSプロセス技術を用いた、高性能の分数分周型（フラクショナルN型）クロック回路を開発した。
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連載2回目の今回は、オシロスコープの「基本仕様の理解」「トリガー機能」「パラメーター測定および演算機能」「波形データの印字、保存、通信」について解説する。
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トレックス・セミコンダクターは、30V耐圧の汎用NチャンネルMOSFET「XP231N0201TR」を発表した。静電対策として、ゲート保護ダイオードを内蔵する。
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イオンディライトは、商業施設などの清掃員不足を解消するために、米・テナントカンパニーと自律走行式床洗浄機「T7AMR」を共同開発した。
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東芝は、膨大な組み合わせパターンの最適化を行うための「シミュレーテッド分岐アルゴリズム」専用の大規模並列処理回路を開発した。金融取引や産業用ロボットなどの分野にSBアルゴリズムを適用することが可能となる。
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SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）を使ったパワーデバイスの実用化に伴い、電源設計においても回路シミュレーションを実施する必要性が高まっている。しかし、「実測値とシミュレーション結果が合わない」というケースが頻発している。なぜ、シミュレーションがうまく行かないのか。その理由と解決策を紹介してきたい。
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東京大学大規模集積システム設計教育研究センター（VDEC）の肥後昭男特任講師らによる研究グループは、バイオテンプレートと中性粒子ビームエッチング技術を組み合わせて、欠陥が少ないInGaAs／GaAs（インジウムガリウムヒ素／ガリウムヒ素）ナノ円盤構造（量子ドット）を作製することに成功した。
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Xilinxは2019年8月21日（米国時間）、16nmプロセスを用いたハイエンドFPGAファミリ「Virtex UltraScale＋」として、900万個のロジックセルを搭載した「Virtex UltraScale＋ VU19P（以下、VU19P）」を発表した。
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ルネサス エレクトロニクスは、産業機器など厳しいノイズ環境下での使用に適した、15Mビット/秒のフォトカプラ3種「RV1S9160A」「RV1S9060A」「RV1S9960A」の量産出荷を開始した。業界最高クラスの低スレッショルド入力電流を達成している。
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今回は、相変化メモリ（PCM）が市場から一度消えた後に、「3D XPointメモリ」で劇的に復活したことをご説明しよう。
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ファインセラミックスセンター（JFCC）と名古屋大学は、金属電極とリチウム（Li）イオン伝導性固体電解質の界面に形成される「イオンの空間電荷層」を観察することに初めて成功した。
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「Arm TechCon 2018」では、Armのアーキテクチャライセンスを基に開発が進められている、次世代スーパーコンピュータのポスト「京」（Post-K）向けのプロセッサ「A64FX」に関する講演が行われた。
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2019年6月9〜14日に京都市で開催される半導体デバイス／回路技術に関する国際会議「VLSIシンポジウム」の開催概要に関する記者説明会が2019年4月17日、東京都内で開催された。
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今回はDRAMのスケーリングと、次世代メモリへのニーズが高まっている背景を取り上げる。
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1.5リッターターボで721万円から。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウォッチする連載。今回は、2019年2月の業界動向の振り返りとして、ドイツ・ニュルンベルクで開催された「embedded world 2019」に絡めて“MCUの話題”を2つ紹介する。
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Intelは2016年以降、今日に至るまで、10nmプロセスを立ち上げることができていない。一方で、配線ピッチは同等であるはずの、TSMCとSamsung Electronicsの7nmプロセスは計画通りに進んでいる。ではなぜ、Intelは10nmプロセスの立ち上げに苦戦しているのだろうか。
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日本テキサス・インスツルメンツは、最大10kWの電力アプリケーションをサポートする、600V GaN FETデバイス「LMG341x」ファミリーを発表した。オン抵抗50mΩおよび、70mΩのGaN FETにドライバと保護機能を集積している。
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NANDフラッシュはメモリ市場で優位に立っている。だが、コストとスケーリングの限界により、徐々にIntelの「3D XPoint」などの新たなテクノロジーにその立場を明け渡すことになるだろう。
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今回は、最先端のドライエッチング技術として、マルチ・パターニングとHARC（High Aspect Ratio Contact）について解説する。
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北海道大学の研究グループらは、半導体光デバイスにおいて、電子のスピン情報を増幅してそのまま一定の値を保つことができる新しいナノ構造を開発した。
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インストルメントクラスタなど車載ディスプレイでは、よりリッチなグラフィックス表示が求められている。それに伴い、車載ディスプレイで使用する不揮発メモリの大容量化が必要になっている。そうした中で、読み出し速度、信頼性、互換性という車載ディスプレイの必須要件を満たした大容量NANDフラッシュが登場した。
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5D光学ストレージは、360TBのデータを138億年もの長期間保存できる見込みがあると研究者は話す。美術館や公文書保管所など膨大な情報を保存する組織には有用かもしれない。今後数世紀にわたって進化するだろう。
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今回は、光ファイバーとシリコン光導波路を結合する技術を解説する。
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