最新記事一覧
シャープは、映像データ処理用AI半導体デバイス設計に向け、PythonコードからRTLコードを短時間で生成できる「高位合成ツール」を開発、オープンソースソフトウェア（OSS）として公開した。
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今回は、任天堂が2025年6月に発売した「Nintendo Switch 2（ニンテンドースイッチ 2）」を分解した。Switchには初代からNVIDIA製プロセッサが搭載されている。Switch 2では、このプロセッサはどう変わったのだろうか。
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東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー（UV-NIL）を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。
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東京科学大学工学院と東京応化工業は、UVナノインプリントを用いたシリコンフォトニクスプロセスを開発した。
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FPGA分野では現在、一部の主要プレーヤーの構造変革により、市場の状況が不透明になっている。FPGA市場の現在地とその行方を予想し、解説する。
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北海道大学は、パワー半導体パッケージングなどに適した、銅系ナノ接合材料の開発に成功した。低温焼結に対応し、短時間の加熱で高い接合強度を発揮する。
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北海道大学の研究グループは、パワー半導体デバイスのパッケージング工程などに適した「銅系ナノ接合材料」を開発した。低温かつ短い焼結時間でも高い接合強度を実現できるという。
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東京科学大学は、約70％の高効率でスピン偏極電流を発生させ、塗るだけで成膜できる新たなキラル半導体高分子を開発した。スピンフィルターとしての性能を材料に付与でき、スピン偏極電流を用いるクリーンエネルギー技術への応用が期待される。
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大阪大学と東京工業大学は、新しいキラル半導体高分子を開発した。溶液を塗るだけで成膜でき、約70％という高い効率でスピン偏極電流を発生させることができる。
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京都大学と公立千歳科学技術大学および、シドニー工科大学の研究グループは、エネルギーが小さい励起光を用い、特定の色中心から選択的に「単一光子」を発生させることに成功した。この励起方法でノイズとなる背景光子を低減できることも実証した。
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東京工業大学と東京応化工業の研究グループは、線幅7.6nmの半導体微細加工を可能にする「高分子ブロック共重合体」の開発に成功した。
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パナソニックは、彦根工場で生産しているナノイーデバイスのグローバル累計出荷台数が1億台を突破したと発表した。今後はグローバル展開と車載向け事業のさらなる拡大により、2030年度に2億台のグローバル累計出荷台数を目指す。
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大阪産業大学と東海大学／京都大学、核融合科学研究所らの研究グループは、ナノ秒紫外レーザーを用い、シリコン太陽電池表面に先端の大きさが約20nmというナノドット構造を形成することに成功した。これにより、500nm付近における太陽光の反射率を約5％に低減。シリコン太陽電池の変換効率をさらに高めることが可能になるという。
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パナソニックは、過敏性肺炎の原因カビであるトリコスポロンに対して、ナノイーの殺菌効果を確認した。過敏性肺炎の原因の7割を占める病原カビ3種全てに、殺菌効果を証明したことになる。
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オーストラリアのReRAMメーカーである4DS Memoryが開発ロードマップを公開した。同社は、プラセオジムを用いる独自のプロセスを持つ。IoT（モノのインターネット）アプリケーションなどでReRAMの採用が加速するとみる専門家もいる中、ReRAMメーカー各社にとっては、いかにコストを削減していくかが、勝敗を分けるカギとなる。
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次世代パワー半導体の研究・技術開発に欠かせないSiC／GaNウエハーの不良解析が大きく進展しようとしている。サーモフィッシャーサイエンティフィック製のICP-MSとガルバノ光学系搭載フェムト秒レーザーアブレーションシステムを組み合わせた新しい元素分析装置「ガルバノ光学系搭載フェムト秒LA-ICP-MS」は、ウエハーに含まれる微量の不純物元素を高精度かつ高感度で解析する装置だ。既存の分析手法では得られなかったデータを活用できるようになり、次世代パワー半導体の開発や製造に大きく貢献する可能性がある。
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10年以上、先端半導体をけん引してきたFinFETだが、今後は新しいトランジスタ構造であるGAA（Gate-All-Around）への移行が本格化すると考えられる。
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名城大学と産業技術総合研究所は、発振波長420nmのGaN（窒化ガリウム）面発光レーザーにおいて、膜厚制御の精度を従来に比べ約一桁高めることにより、20％を超える電力変換効率（WPE）を実現した。
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台湾の市場調査会社TrendForceは2024年4月4日、前日に発生した台湾東部沖を震源とするマグニチュード7.2の地震による、半導体工場の最新の被害／稼働状況を発表した。
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ADAS（先進運転支援システム）の進化には車載マイコンや車載SoCの高性能化が急務であり、微細半導体製造プロセスを用いたマイコン／SoCの開発が加速している。ただ、微細プロセスではマイコン／SoCに不揮発性メモリを混載するのが難しく、不揮発性メモリを外付けする必要が生じる。だが従来の不揮発性メモリのインタフェース（I/F）では速度が不足し、高速な処理に対応できない。そうした中で、従来比20倍のランダムリードアクセスを実現する高速I/Fを搭載したNOR型フラッシュメモリが登場した。
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STMicroelectronicsが組み込み型相変化メモリ（ePCM）を搭載した18nm FD-SOI（完全空乏型シリコン・オン・インシュレータ）技術に基づく先進プロセスを開発した。新技術を採用したマイコンを、2025年後半に量産開始する予定だ。
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パナソニックと麻布大学は、帯電微粒子水「ナノイー」で抗原性が抑制された花粉では、アレルギー反応が抑えられることを細胞レベルで明らかにした。
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トッパンフォトマスクとIBMは、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUVフォトマスク」を共同開発する。契約期間は2024年2月より5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所（米国ニューヨーク州）と、トッパンフォトマスクの朝霞工場（埼玉県新座市）で研究開発を行う。
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理化学研究所（理研）と東京大学による共同研究チームは、音響共振器を用い基板表面を伝わる音波（表面音波）を閉じ込めることで、強磁性体中のスピン波と表面音波が強結合した状態を、室温で観測することに成功した。スピン波と表面音波の特性を併せ持つ、新たなデバイスの開発が期待される。
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日本シーゲイトが、HDDの記憶容量密度を大幅に向上させる新技術「Mozaic 3+」について説明。これまで開発を続けてきたHAMR技術と記録層となるプラッタ上に作り込んだ超格子鉄プラチナ合金メディアを組み合わせることで、従来技術であるPMR技術の限界を打ち破り、1プラッタ当たり3TB以上という記録容量密度を実現した。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、10月に発表されたIntelのPSG（FPGA部門）独立について考察する。
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東京大学は、熱揺らぎで物質表面に現れる熱励起エバネッセント波を、ナノスケール分解能で分光測定する技術を開発した。パワー半導体素子設計時の熱励起雑音評価に適用できる技術だという。
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東北大学は、汎用プラスチックの基礎的構造を観察できる新たな電子顕微鏡解析手法を開発した。ポリエチレンナノ結晶を電子染色なしで可視化する同手法により、結晶内部の分子鎖配列などを直接解析可能になった。
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産業技術総合研究所（産総研）は、誘電層に用いるチタン酸バリウム（BTO）の立方体単結晶（ナノキューブ）単層膜と、電極層として用いる多層グラフェン膜を、交互に積層するプロセス技術を開発した。積層セラミックコンデンサー（MLCC）内部の誘電層と電極層を大幅に薄層化できるという。
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東京工業大学は、ナノチャネルボトムコンタクト型2次元強誘電半導体「α-In2Se3（α相セレン化インジウム）」メモリを開発した。マルチレベルセル（MLC）相当の記憶状態を得られる可能性があるという。
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2023年6月に開催された「VLSIシンポジウム2023」は大盛況であった。本稿では、筆者が“ブレークの予感”を抱いた裏面電源供給技術と、3D（3次元） NAND／DRAM技術に焦点を当てて、解説する。
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インフィニオン テクノロジーズはLPDDR4インタフェース搭載のNORフラッシュ「SEMPER X1」を発表した。同社従来製品比でデータ転送速度が8倍、ランダム読み出し速度が20倍向上した。
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東芝は、社会インフラ設備の保守と点検の現場向けに、特定のにおいを高感度に検知する小型のにおいセンサーを開発した。カビ臭の主な原因となる2-MIBを、大気中濃度0.2ppbvレベルで検知できる。
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パナソニック くらしアプライアンス社は、大阪公立大学 大学院獣医学研究科 准教授の安木真世氏との共同研究で、ナノイーの曝露による新型コロナウイルスの不活化が、ウイルスの構造崩壊につながる一因だと確認した。
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北海道大学は、半導体露光用EUV光源を構成する「プラズマの複雑な流れ」を観測することに成功した。プラズマの流れを制御すれば、EUV光源の高出力化が可能になるという。
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2022年12月14日から開幕した「SEMICON Japan 2022」（2022年12月14日〜16日、東京ビッグサイト）では、フレキシブルエレクトロニクスに関する展示「FLEX Japan 2022」も開催された。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は10月に各社から発表された第3四半期の決算発表から見えてきた、半導体需給の状況をプロセスノード別に紹介する。
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東京工業大学は、新たに開発した「ナノ構造誘起法」を用い、10kOe以上という高い保磁力を有するL1▽▽0▽▽規則化単結晶構造の「強磁性ナノワイヤ」を、アニール（加熱）処理のみで作製した。
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2022年6月に開催された「VLSIシンポジウム」の講演のうち、最先端ロジック半導体に焦点を当てて解説する。ASMLが2023年から本格的に開発を始める次世代EUV（極端紫外線）露光装置「High NA」が実用化されれば、半導体の微細化は2035年まで続くと見られる。
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2022年8月、米国の半導体支援の法案「CHIPS法（正式名称：CHIPS and Science Act）」の可決に伴い、400億米ドルを投じて米国での生産活動を拡張すると発表したMicron Technology（以下、Micron）。同年9月1日（米国時間）には、米国で20年ぶりにメモリ工場を建設する計画も発表した。EE Times Japanは、Micronのモバイルビジネス部門でシニアバイスプレジデント兼ゼネラルマネジャーを務めるRaj Talluri氏および、Micron本社に取材し、市場動向や新しいメモリ技術に対するMicronの見解について聞いた。
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中外製薬は6月3日、宇都宮工場のバーチャル見学会を開催。同社の主力製品のリウマチ治療薬「アクテムラ」や血友病治療薬「ヘムライブラ」の生産工程の一部が公開された。また、今後予定されている設備投資などにも言及した。【修正あり】
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物質・材料研究機構は、粘土ナノシートの粒径調整により、粘土膜のガス透過性を制御できることを明らかにした。この膜を青果物の表面に塗布することで、腐敗を遅らせることに成功した。
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東芝は2022年2月8日、会社分割後にできる2社の事業戦略に関する説明会を行った。デバイス＆ストレージ事業をスピンオフする「デバイスCo.」では、シリコンパワー半導体のラインアップ拡充やSiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）デバイス開発を加速し、パワー半導体の研究開発だけで5年間に1000億円を投入する計画などを明かした。
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パナソニック スマートファクトリーソリューションズは2021年11月26日、大阪府豊中市の同社事業所内に、青色レーザー加工機の用途開拓や共同研究を行う拠点として、プロセス実証センター「Advanced Material Processing Connect Lab（AMP Connect Lab）」を同年12月1日に開設すると発表した。同センターで検証を進めた青色レーザー加工機を2022年度に製品化する計画だ。
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今回からは、高性能コンピューティング（HPC）向けパッケージング技術「CoWoS（Chip on Wafer on Substrate、コワース）」を解説する。
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三菱電機は、5〜85℃で動作可能な100Gビット/秒の光トランシーバー向けレーザーダイオードチップ「ML7CP70」を開発した。2021年11月1日からサンプル提供を開始する。
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ソシオネクストは、高エネルギー加速器研究機構、京都大学、大阪大学と協力し、宇宙線のミュオンおよび、中性子によって生じるソフトエラーは、その特徴が異なることを実験によって解明した。
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エレクトロニクス／組み込み業界の動向をウオッチする連載。今回は、大きなトレンドになりつつあるSRAMの3D Stacking（3D実装）についてお届けする。
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東京工業大学は、抵抗変化型ガスセンサーの電極間隔（ギャップ長）を20nmと狭くしたナノギャップガスセンサーを開発した。ギャップ長が12μmの一般的な酸素ガスセンサーに比べ、約300倍の応答速度を実現した。
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