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Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）結晶膜に対し、イオン注入法によりドナー不純物を添加することで、n型導電性を付与することに成功した。これにより、複雑な構造を有するパワー半導体デバイスの作製が容易になる。
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Patentixは、次世代のパワー半導体材料として注目されている「ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」のバルク結晶を合成することに成功した。今後はこのバルク結晶を種結晶として用い、引き上げ法などによって大口径化や高品質化を図り、市場投入を目指す。
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東京農工大学の熊谷義直教授らのグループは、次世代パワー半導体の材料として注目されている「β型酸化ガリウム」結晶を、高速に成長させる技術を開発した。このβ型酸化ガリウム結晶は、独自の減圧ホットウォール有機金属気相成長（MOVPE）法を用いて成長させ、高い精度でn型キャリア密度を制御している。
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東芝が、完全子会社である東芝マテリアルを日本特殊陶業に売却すると発表した。売却価格は約1500億円で、2025年5月30日に実施予定だ。
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住友化学は、パワー半導体に向けた「6インチGaN on GaNウエハー」の量産技術を早期に確立していく。NEDO（新エネルギー・産業技術総合開発機構）が進める2024年度「脱炭素社会実現に向けた省エネルギー技術の研究開発・社会実装促進プログラム」において、「パワーエレクトロニクス用大口径GaN on GaNウエハーの開発」が採択された。
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東北大学は、β型酸化ガリウム（β-Ga2O3）ウエハーの低コスト量産化を目指す同大発のスタートアップFOXを起業したと発表した。同大と同大発スタートアップのC＆Aが共同開発した貴金属フリーの単結晶育成技術を用い、シリコンに匹敵する低欠陥のβ-Ga2O3インゴット／基板を、SiCより安価に製造する技術の実用化を目指す。
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大阪大学は、DOWAホールディングスや島津製作所と共同で、パワー半導体デバイスに用いられる窒化アルミニウム基板に対し、青色半導体レーザーを用い、銅を直接接合する技術を開発した。接合に用いる材料と製造工数の削減が可能となる。
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STマイクロエレクトロニクスと中国の吉利汽車は、「SiC（炭化ケイ素）パワー半導体の長期供給契約」と、「共同研究ラボの設立」で合意したと発表した。革新的な技術を共同で開発することにより、新エネルギー車（NEV）への移行を加速させる。
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ルネサス エレクトロニクスは2024年4月11日、2014年10月に閉鎖した甲府工場（山梨県甲斐市）の稼働を開始した。パワー半導体の生産能力増強を目的としたもので、本格量産を開始する2025年には、現状比で2倍の生産能力になる見込みだ。
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ロームは2024年3月29日、日本産業パートナーズ（JIP）に対し、ロームと東芝との半導体事業の業務提携強化に向けた協議の開始を提案したと発表した。将来的には資本提携も視野に入れて協議したい考えだ。
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Infineon Technologiesが、本田技研工業と戦略的協力関係を構築する。両社は、パワー半導体、先進運転支援システムおよびE/Eアーキテクチャの分野に焦点を当て、新しいアーキテクチャコンセプトについて協力していく。
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Infineon Technologiesは、Wolfspeedとの150mm SiCウエハーに関する長期供給契約を拡大／延長した。Infineonは「サプライヤー基盤を継続的に多様化し、高品質のSiCウエハーへのアクセスを確保していく」と述べている。
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東芝は2024年1月1日に発生した令和6年能登半島地震で被災した、パワー半導体の主要生産拠点である加賀東芝エレクトロニクス（石川県能美市）において、同年2月上旬に、被災前の生産能力に近い水準へ復旧することを目指す。
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インフィニオン テクノロジーズ ジャパンは2023年11月30日、センサーブランド「XENSIV（センシブ）」の拡販に向けた戦略説明会を実施した。注力する4つのセンサー市場の今後5年間における平均CAGR17.1％を上回る成長を実現し、センサー事業の中核事業化を目指す。
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東京大学は、熱揺らぎで物質表面に現れる熱励起エバネッセント波を、ナノスケール分解能で分光測定する技術を開発した。パワー半導体素子設計時の熱励起雑音評価に適用できる技術だという。
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米アーカンソー大学が、国の支援を受け、SiC専用の研究／製造センターの建設に着手した。次世代パワー半導体として期待されるSiCパワーデバイスの国内生産能力と開発能力の強化を狙う。
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三菱電機は、パワー半導体用酸化ガリウム（Ga2O3）ウエハーを開発、製造、販売するノベルクリスタルテクノロジーに出資した。これを機に、三菱電機はGa2O3を用いたパワー半導体の研究開発を加速していく。
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Littelfuseは、ドイツの車載半導体メーカーElmos Semiconductorの200mmウエハー工場を買収する契約を締結した。買収総額は約9300万ユーロで、取引は規制当局の承認を経て2024年12月31日までに完了する予定だ。
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パワー半導体の世界市場は、2022年見込みの238億9000万米ドルに対し、2030年は369億8000万米ドル規模に達する見通しである。このうち、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体が17.4％を占める。矢野経済研究所が予測した。
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東芝は2023年5月、車載半導体への取り組みに関する説明会を実施した。説明会では、担当者がSiCを含むパワー半導体やモーター制御ICなど、同社の注力領域に関する技術動向を説明した。
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富士経済が2022年4月に発表した次世代パワー半導体とSiパワー半導体の世界市場の調査によると、パワー半導体市場は自動車／電装分野にけん引され、2035年には2022年比5.0倍の13兆4302億円規模に達するという。
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茨城大学や東北大学、東京工業大学らの研究グループは、次世代パワー半導体材料であるβ型酸化ガリウム（β-Ga2O3）の電気特性に影響を与える水素の準安定状態を解明した。
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東芝の2023年3月期第3四半期累計業績は、売上高が前年同期比1％増とほぼ横ばいの2兆3702億円、営業利益が同795億円減の81億円だった。通期予想も、営業利益を前回予想から300億円減の950億円、純利益（参考値）を同600億円減の1300億円と、前回に引き続き下方修正した。
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エネルギー価格の上昇と環境保護意識の高まりを受け、業務用空調システムの需要が拡大している。パワー半導体など業務用空調システムのキーデバイスの供給不足が懸念される中で、インフィニオン テクノロジーズは業務用空調システム用デバイスの開発、増産投資を強化している。
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ルネサス エレクトロニクスの執行役員兼オートモーティブソリューション事業本部副本部長のVivek Bhan氏が、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2022」（2022年11月15〜18日）において、同社のADAS（先進運転支援システム）およびEV（電動自動車）領域における戦略について語った。
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onsemiは2022年12月2日、新潟工場（新潟県小千谷市）のJSファンダリへの売却を完了した、と発表した。JSファンダリは日本初の独立系ファウンドリーとして、アナログ／パワー半導体の前処理、裏面処理、EPI積層、チップサイズパッケージなどの加工／製造を行っていく。
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Infineon Technologies（以下、Infineon）は2022年11月14日（ドイツ時間）、50億ユーロ（約7220億円）を投じ、ドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を建設する計画を発表した。新工場で製造するのは、アナログ／ミックスドシグナルおよびパワー半導体。計画では、2026年秋に稼働開始予定で、フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。
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京都大学、立命館大学、東京都立産業技術研究センターによる研究チームは2022年9月9日、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO2（r-GeO2）を中心とした、ルチル型酸化物半導体混晶系（GeO2-SnO2-SiO2）を新たに提案するとともに、実験と計算の両面から有用性を実証したと発表した。
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昭和電工は2022年9月7日、SiC（炭化ケイ素）パワー半導体に使用されるSiCエピタキシャル（以下、SiCエピ）ウエハーについて、国内メーカーとして初めて8インチ（200mm）サイズのサンプル出荷を開始したと発表した。
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省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体であるGaN（窒化ガリウム）を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第2回である今回は、GaN FETの特徴であるスイッチングスピードに関して、他の素子と比較しながら解説する。
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パナソニック ホールディングスは、東北大学や大阪教育大学、秋田大学、芝浦工業大学と共同で、低温かつ短時間での接合と、耐熱200℃を両立させた「ナノソルダー接合材料」を開発した。
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省エネ化／低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体である窒化ガリウム（GaN）を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第1回である今回は、GaNパワートランジスタの構造や特長、ターゲットアプリケーションなどについて説明する。
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東芝デバイス＆ストレージは2022年2月4日、加賀東芝エレクトロニクス（石川県能美市／以下、加賀東芝）に300mmウエハー対応の新しいパワー半導体製造棟を建設すると発表した。
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富士電機は2022年1月27日、パワー半導体の生産拠点である富士電機津軽セミコンダクタ（青森県五所川原市／以下、津軽工場）でSiC（炭化ケイ素）を使用したパワー半導体の増産に向けた設備投資を実施すると発表した。
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オランダの半導体メーカーNexperiaが最近主催したイベントの複数の参加者によると、自動車、民生、航空宇宙用途では、電力転換などのアプリケーションにGaN（窒化ガリウム）技術の利点を活用しつつある。
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科学技術振興機構（JST）は、ロータス金属を用いた高効率の沸騰冷却器を、ロータス・サーマル・ソリューションが開発したと発表した。この技術を用いるとSiC（炭化ケイ素）パワー半導体や高性能CPUを効率よく冷却することが可能になる。
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STMicroelectronicsは2021年6月25日（スイス時間）、Renault Groupと電気自動車（EV）／ハイブリッド自動車（HEV）向け次世代パワー半導体の安定供給に向けた戦略的提携を結んだと発表した。
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Nexperia（ネクスペリア）は2021年2月、パワー半導体の需要拡大に対応するため、2021年中にも大幅な追加投資を行い、生産能力と研究開発の体制を強化する。
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パワーエレクトロニクスでは、GaN（窒化ガリウム）やSiC（炭化ケイ素）などのワイドバンドギャップ（WBG）デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。
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年々注目度が増すワイドバンドギャップ（WBG）半導体。その中で、現在最もシェアが高いのはSiC（炭化ケイ素）だ。SiCスイッチの特性と、同素子を使う際の設計上の注意点を説明する。
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あらゆるパワーエレクトロニクスアプリケーションにおける主要評価基準の一つが電力密度です。これは、効率やスイッチング周波数の向上によって大幅に改善されます。シリコンをベースとした技術は進化の限界に近づいているため、設計エンジニアはソリューションを提供すべくGaN（窒化ガリウム）などのワイドバンドギャップ技術に関心を向け始めています。
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Infineon Technologies（日本法人：インフィニオン テクノロジーズ ジャパン）は2018年7月3日、都内でパワー半導体事業に関する記者会見を開き、国内パワー半導体市場でのシェア向上に向けた取り組みなどについて説明を行った。
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SiCパワー半導体市場は堅調に成長しており、2017年には275億円にまで拡大。電化が進む自動車や産業機器への採用も見込まれることから、市場は2030年に2270億円まで拡大する見込み。富士経済調べ。
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保護素子を事業の核としているLittelfuseは近年、パワー半導体事業にも注力している。投資や買収によって、SiCパワーデバイスなどのパワー半導体製品のラインアップ拡充を図っている。同社のオートモーティブ・エレクトロニクス担当マーケティングディレクターを務めるCarlos Castro氏が、事業戦略について説明した。
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帝人フロンティアは、次世代パワー半導体材料として期待されるSiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）の仕上げ加工を、高速かつ低コストで実現できる研磨パッドを開発した。
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より高い通電性と低電力損失を目指した素材の本格展開が進むパワー半導体。2025年にはSiCとGaNが1860億円の市場にまで成長するとの予測。富士経済調べ。
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三菱電機は、体積が5リットルと小さいHEV用「SiC（炭化ケイ素）インバーター」を開発した。
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テクトロニクスは2016年10月26日、SiC（炭化ケイ素）、GaN（窒化ガリウム）などの次世代パワー半導体材料での使用に適した、完全自動のテストシステム「S540型」を発表した。
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ルネサス エレクトロニクスは熊本地震で被災し、4月22日から一部生産を再開した熊本川尻工場の生産能力を5月22日に震災前の水準に復旧するとの見通しを発表した。
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富士経済は、次世代パワー半導体の世界市場に関する調査結果を発表した。SiCは、6インチ基板への移行が進まず、本格的な量産は2017年以降にずれ込む可能性があるという。GaNは、量産化へのハードルが低くなり、耐圧600Vから1200Vクラスの領域で需要が増加するとした。
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