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「パワー半導体(エレクトロニクス)」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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エネルギー価格の上昇と環境保護意識の高まりを受け、業務用空調システムの需要が拡大している。パワー半導体など業務用空調システムのキーデバイスの供給不足が懸念される中で、インフィニオン テクノロジーズは業務用空調システム用デバイスの開発、増産投資を強化している。

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ルネサス エレクトロニクスの執行役員兼オートモーティブソリューション事業本部副本部長のVivek Bhan氏が、欧州最大規模のエレクトロニクス展示会「electronica 2022」(2022年11月15〜18日)において、同社のADAS(先進運転支援システム)およびEV(電動自動車)領域における戦略について語った。

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onsemiは2022年12月2日、新潟工場(新潟県小千谷市)のJSファンダリへの売却を完了した、と発表した。JSファンダリは日本初の独立系ファウンドリーとして、アナログ/パワー半導体の前処理、裏面処理、EPI積層、チップサイズパッケージなどの加工/製造を行っていく。

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Infineon Technologies(以下、Infineon)は2022年11月14日(ドイツ時間)、50億ユーロ(約7220億円)を投じ、ドイツ・ドレスデンに300mmウエハー新工場を建設する計画を発表した。新工場で製造するのは、アナログ/ミックスドシグナルおよびパワー半導体。計画では、2026年秋に稼働開始予定で、フル稼働時には年間で50億ユーロ程度の売上高を見込む。

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京都大学、立命館大学、東京都立産業技術研究センターによる研究チームは2022年9月9日、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO2(r-GeO2)を中心とした、ルチル型酸化物半導体混晶系(GeO2-SnO2-SiO2)を新たに提案するとともに、実験と計算の両面から有用性を実証したと発表した。

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省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体であるGaN(窒化ガリウム)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第2回である今回は、GaN FETの特徴であるスイッチングスピードに関して、他の素子と比較しながら解説する。

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省エネ化/低炭素社会のキーデバイスとして、化合物半導体である窒化ガリウム(GaN)を用いたパワー半導体が注目を集めている。本連載では、次世代パワー半導体とも称されるGaNパワー半導体に関する基礎知識から、各電源トポロジーにおけるシリコンパワー半導体との比較まで徹底解説していく。第1回である今回は、GaNパワートランジスタの構造や特長、ターゲットアプリケーションなどについて説明する。

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パワーエレクトロニクスでは、GaN(窒化ガリウム)やSiC(炭化ケイ素)などのワイドバンドギャップ(WBG)デバイスの採用が進んでいる。シリコンは依然として市場を独占しているが、GaNやSiCデバイスの登場によって、技術はより効率的な新しいソリューションに向かうと予想される。

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あらゆるパワーエレクトロニクスアプリケーションにおける主要評価基準の一つが電力密度です。これは、効率やスイッチング周波数の向上によって大幅に改善されます。シリコンをベースとした技術は進化の限界に近づいているため、設計エンジニアはソリューションを提供すべくGaN(窒化ガリウム)などのワイドバンドギャップ技術に関心を向け始めています。

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保護素子を事業の核としているLittelfuseは近年、パワー半導体事業にも注力している。投資や買収によって、SiCパワーデバイスなどのパワー半導体製品のラインアップ拡充を図っている。同社のオートモーティブ・エレクトロニクス担当マーケティングディレクターを務めるCarlos Castro氏が、事業戦略について説明した。

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Integrated Device Technology(IDT)は、エンハンスモードの窒化ガリウム(eGaN)FETで強みを持つEfficient Power Conversion(EPC)と提携した。両社は、eGaN技術とシステム化のノウハウを持ち寄り、通信・コンピュータやワイヤレス給電、RF回路に向けた高速で高効率の半導体デバイス製品を共同開発していく。

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