最新記事一覧
onsemiが中国InnoscienceとGaNパワーデバイスでの協業に関する覚書（MOU）を締結した。InnoscienceのGaNウエハーおよび製造能力とonsemiのシステム統合、ドライバーおよびパッケージ技術を組み合わせ、40〜200VのGaNパワーデバイスの市場展開加速を狙う。onsemiは2026年上期に、協業による製品のサンプル出荷開始を予定している。
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EE Times Japan／EDN Japanは「パワーエレクトロニクス イニシアチブ」を2025年12月4日にオンラインで開催致します。基調講演4本をご紹介します。
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高耐熱／高耐圧用途向けでシリコン（Si）に代わる次世代パワー半導体材料として、炭化ケイ素（SiC）への注目度がますます高まっている。2025年9月に開催されたSiCに関する国際学会「International Conference on Silicon Carbide and Related Materials（ICSCRM） 2025」での動向などを踏まえて、SiC開発の現状や日本を含めた世界のプレイヤーの勢力図について、名古屋工業大学 電気・機械工学科 教授の加藤正史氏に聞いた。
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Texas Instrumentsの日本法人である日本テキサス・インスツルメンツは「EdgeTech＋ 2025」（2025年11月19〜21日、パシフィコ横浜）にて、「先進的半導体技術が切り拓くヒューマノイドロボットの未来」と題した基調講演に登壇。大きな変化を遂げてきたロボティクス技術のこれまでと現在、そしてヒューマノイドロボティクスの発展に向けて必要とされる技術、TIが提供するソリューションについて取り上げた。
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TSMCが2年以内に窒化ガリウム（GaN）ファウンドリー事業を段階的に終了すると表明して以来、業界にその波紋は広がり続けている。最近、この技術に関する新たな展開があった。GlobalFoundries（GF）がTSMCの650Vおよび80V向けGaNパワー半導体製造技術のライセンスを取得したことに加え、NavitasがGFとの提携を発表したのだ。
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onsemiは、AIデータセンターやEVなどの高電力アプリケーション向けに、次世代縦型GaNパワー半導体を発表した。GaN-on-GaN構造で高電力密度と効率を両立し、損失を約50％低減する。
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Amazon.co.jpにて、Ankerの急速充電器「Anker Prime Wall Charger (67W, 3 ports, GaN)」がセール価格で登場している。
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2025年10月、オランダ政府による異例の決定が、世界的な半導体供給危機を再燃させた。大手NXP Semiconductorsから分離し、中国資本傘下となったNexperiaが製造する半導体の供給が、中国政府の措置により停止したからだ。VWやホンダなどの大手自動車メーカーは、単価は安くとも不可欠な部品の欠品により、生産停止の危機に直面している。本稿では、この小さな部品に起因する世界的危機と、サプライチェーンの脆弱性について解説する。
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アンカー・ジャパンがAmazon ブラックフライデーに、300以上の製品を出品する。本稿で紹介するのはごく一部だが、セール期間中は最大60％オフの製品もあるという。気になる人はぜひチェックしてみてほしい。
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onsemiはプレス向け説明会を実施し、車載向けイメージセンシング技術の取り組みや日本市場での戦略を紹介した。車載向けイメージセンサーのデモに加え、2025年10月にサンプル提供を開始した縦型窒化ガリウム（GaN）パワーデバイスも披露した。
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STマイクロエレクトロニクスは、電源設計を簡略化し、可聴ノイズを抑えるGaNフライバックコンバーターICシリーズを発表した。独自技術で負荷を低減し、電源や充電器の動作音を抑える。
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信越化学工業は、300mm GaN専用の成長基板である「QST基板」を用い、imecが5μm厚のGaN HEMT構造を作製し、650Vを超える高耐圧を達成した。「SEMI規格に準拠した300mm基板としては世界最高の破壊電圧」（同社）だという。
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ベルキンが「Amazonブラックフライデー」と先行セールに参加。Qi2 25Wワイヤレス充電器、iPhone 17対応保護ケース、ドッキングステーションなど350製品が最大50％オフになる。
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サンケン電気は、AIデータセンターの空調／液冷システムに向け、高耐圧の窒化ガリウム（GaN）および炭化ケイ素（SiC）パワー半導体搭載IPMの展開を計画している。2025年11月12日の決算説明会で、同社社長の高橋広氏が計画を語った。
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中国のパワー半導体メーカーが急速に台頭し、日欧勢を脅かしている。AIブームで勢いづくロジック・メモリ分野では日本が蚊帳の外にあり、パワー半導体でも中国勢が猛追。AIブームに乗れずレガシー分野でも競争が激化する日本は、まさに「前門の虎、後門の狼」の状況にある。
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GlobalFoundriesが、TSMCと650Vおよび80Vの窒化ガリウム（GaN）技術に関するライセンスの供与を受ける契約を締結した。GFは米国の工場に技術を導入。開発は2026年初頭に開始し、同年後半には生産を開始する予定だ。
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「怖いもの無し」の集団が100％以上の力でぶつかってくるので、強いわけですよね……。
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京セラは、2026年1月に米国ネバダ州ラスベガスで開催される世界最大級のテクノロジー見本市「CES 2026」に出展する。同社はそれに先立ってプレス向けの説明会を開催し、水中光無線通信技術や3眼AI測距カメラなどの出展内容を紹介した。
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オンセミが2027年度の量産化を目指す縦型GaNデバイス「Vertical GaN」を紹介するとともに、ADAS向け最新イメージセンサーのデモンストレーションを披露した。
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半導体として優れた特性を持ち、採用拡大が進んでいる炭化ケイ素（SiC）／窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス。横河計測は、次世代パワーデバイスの高速な電気信号を正確に測定できる高電圧差動プローブを開発した。
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CFDソフトウェアは設計現場においても徐々に普及しつつあるが、導入コストや操作の難しさから、気軽に扱える環境は依然として限られている。そうした中で登場したのが、クラウドベースのCFD解析サービス「AirShaper」だ。本連載ではその実力と可能性を、実際の使用感とともに検証する。第3回は、AirShaperの“信頼性”と“拡張性”に焦点を当て、その真価を探る。
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STMicroelectronicsは、次世代AIデータセンター向け電源供給システムの試作品を発表した。NVIDIAが開発する800V直流電源アーキテクチャをサポートする新しい設計だ。
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サンケン電気がGaNパワーデバイス市場への本格参入を狙っている。競争も激化しているが、高耐圧かつ低コストを実現する独自技術の横型GaNで差別化を図る他、2030年度には縦型GaNの量産も計画しているという。今回、同社幹部に詳細を聞いた。
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Patentixは、FZ法（浮遊帯域溶解法）を用いて、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶を育成することに成功した。引き続き、結晶のさらなる大型化と高品質化に取り組み、ハーフインチサイズのr-GeO2バルク基板について早期実現を目指す。
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アナログ／ミックスドシグナル専業ファウンドリーのX-FABが、dMode（デプリーションモード）デバイス向けGaN-on-Siウエハーの提供を始めた。
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ローム社長の東克己氏は2025年11月6日、TSMCのGaNファウンドリー事業撤退の決定について「われわれにとって非常に痛い、大きな痛手だ」と言及。生産移管先についてはTSMC傘下のVanguard International Semiconductorと協議していることに触れつつ、現在も社内／協業を含めたさまざまな可能性を検討している段階だと説明した。
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アドバンテストは、パワー半導体向け統合テストプラットフォーム「MTe（Make Test easy）」を発表した。拡張性に優れたMTeは、自動車や産業機器などに用いられるパワー半導体素子やモジュールの検査／評価を、高い効率で行うことができる。
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矢野経済研究所の調べによれば、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の世界市場（メーカー出荷金額ベース）は、2025年に2869億円となる見込みで、2035年は8298億円規模に達するという。バッテリー電気自動車（BEV）や鉄道車両、産業機器などに搭載されるパワー半導体向けを中心に、ワイドバンドギャップ半導体単結晶の採用が進む。
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onsemiが縦型窒化ガリウム（GaN）パワー半導体を開発した。GaN on GaN技術の製品で同社は「AIデータセンターや電気自動車（EV）など、エネルギー集約型アプリケーションによる世界的な電力需要の急増を背景に、onsemiは縦型GaNパワー半導体を発表した。この新デバイスは、これらの用途で電力密度、効率、堅牢性の新たな基準を打ち立てるものだ」と述べている。
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Texas Instrumentsは半導体製造における自立性を高めるため、2030年までに自社生産能力を95％超に拡大するという目標を掲げている。同社の欧州／中東／アフリカ地域（EMEA）担当プレジデントであるStefan Bruder氏に独占インタビューを行い、同社工場の生産能力拡大や、設計のスピード、インドにおける事業計画などについて話を聞いた。
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フランスの市場調査会社Yole Groupによると、窒化ガリウム（GaN）パワーデバイス市場は2024年から2030年まで年平均成長率（CAGR）42％で成長し約30億米ドルの市場になるという。2024年の市場シェアでは中国Innoscienceがトップだった。日本勢はトップ5には入っていない。
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Infineon Technologiesのオーストリア・フィラッハ拠点で2025年10月、同社の窒化ガリウム（GaN）事業部門責任者であるJohannes Schoiswohl氏が最新技術について語った。
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石油／化学プラントの「人依存」からの脱却は可能か――現場の運転／保全業務におけるDXは、今どこまで進んでいるのか。Hexagon主催のカンファレンスから、製造業のデジタル化動向に詳しいARC Advisory Groupの講演を紹介する。
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STマイクロエレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）用のハーフブリッジゲートドライバーICとして「STDRIVEG210」と「STDRIVEG211」の2製品を発表した。産業用機器やコンピュータ周辺機器などにおける電力変換用途に向ける。
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Infineon Technologiesが、オーストリア・フィラッハ拠点でメディアやアナリスト向けのイベントを実施。事業責任者らが同社のシリコン（Si）、炭化ケイ素（SiC）および窒化ガリウム（GaN）パワー半導体の最新動向について語ったほか、2021年にオープンした300mmウエハー工場のクリーンルームも公開した。
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ルネサス エレクトロニクスは、窒化ガリウム（GaN）電源ソリューションを用意し、NVIDIAが提唱する800V直流電源アーキテクチャに対応していくと発表した。
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CRI・ミドルウェアは「CEATEC 2025」（2025年10月14〜17日、幕張メッセ）に出展し、同社のサウンドミドルウェア「CRI D-Amp Driver」とGaN FET増幅素子を組み合わせたアンプモジュールの参考展示などを行った。
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米国マサチューセッツ工科大学発の新興企業Vertical Semiconductorが、縦型窒化ガリウム（GaN）トランジスタ開発に向け、1100万米ドルを調達したと発表した。ベンチャーキャピタルのPlayground Globalが主導したシード資金調達で、信越化学工業も出資に参加している。
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日常生活や社会の発展に不可欠な半導体。その半導体を「源流」で支えるのがニューフレアテクノロジーだ。同社は、ガラス基板上に微細な回路パターンを超高速で描画する電子ビームマスク描画装置の世界市場で高いシェアを持つ。何事も諦めないエンジニアたちが電子工学や機械工学、情報処理技術、光学、化学といったあらゆる高度な技術を結集し、半導体の進化を加速する半導体製造装置の開発に挑み続けている。
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Infineon Technologiesが、車載用電子部品の信頼性規格「AEC-Q101」に適合した同社初の窒化ガリウム（GaN）トランジスタファミリーの生産を開始した。併せて高耐圧GaNトランジスタおよび双方向GaNスイッチを含むAEC-Q101準拠品のサンプル供給も開始した。
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インフィニオンは「全方位」で攻めていると実感しました。
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CFDソフトウェアは設計現場においても徐々に普及しつつあるが、導入コストや操作の難しさから、気軽に扱える環境は依然として限られている。そうした中で登場したのが、クラウドベースのCFD解析サービス「AirShaper」だ。本連載ではその実力と可能性を、実際の使用感とともに検証する。第2回は、シンプルな使い勝手を支えるAirShaperの裏側の技術に注目しながら活用の流れを紹介する。
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ロームとInfineon Technologies（インフィニオン）は、SiCパワーデバイスのパッケージを共通化する協業を開始した。両社から互換製品を調達できるようになり、設計や調達の利便性が高まる。
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ベルキンは、10月4日から開催の「Amazonプライム感謝祭」へ参加。iPhone 17シリーズで利用できるQi2対応25Wワイヤレス充電器などを最大20％オフで販売する。
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世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Expo＆Conference」が2025年5月、ドイツで開催された。本稿ではEE Times Japan記者が現地で取材した業界の最新動向および技術を紹介する。
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京セラは、GaNレーザーを活用した水中光無線通信の実海域試験を実施し、最大通信速度750Mbpsを達成した。従来の音響通信では難しかった、高精細映像や大容量データの伝送が可能になる。
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次世代パワー半導体材料として注目度が高まる炭化ケイ素（SiC）。SiCパワーデバイスの研究開発は2000年代以降、飛躍的に進展してきた。SiCのこれまでの研究開発やパワーデバイス実用化の道のり、さらなる活用に向けた今後の課題について、京都大学 工学研究科 教授 木本恒暢氏に聞いた。
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ロームとInfineon Technologiesが、炭化ケイ素（SiC）パワー半導体のパッケージ共通化で協業する。車載充電器、太陽光発電、エネルギー貯蔵システム、AIデータセンターなどで採用されるSiCパワーデバイスのパッケージについて、両社が相互に供給するセカンドソース体制の構築を進める。
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前回に続き、20周年記念寄稿として発光ダイオード（LED）、特に「高輝度青色発光ダイオード」に焦点を当てます。高輝度青色LEDの誕生に至る「低温バッファ層」技術の偶然と必然、研究者の挑戦と快進撃を振り返ります。
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京セラは、京セラSLDレーザー製のGaNレーザーを搭載した水中光無線通信システムを試作し、実海域における実証実験で750Mビット/秒（bps）という世界最速レベルの高速通信に成功した。水中ドローンとの通信など次世代海洋IoTの実現に向け、通信速度をギガレベルまで高めながら、2027年までに同システムの実用化を目指す。
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