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「GaN」関連の最新 ニュース・レビュー・解説 記事 まとめ

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大阪大学はダイセルとの共同研究で、銀(Ag)とシリコン(Si)の共晶合金を液体急冷すると、非晶質SiやAg過飽和固溶体の準安定相が出現することを発見した。また、液体急冷Ag−Si合金を大気中で加熱すると、Ag過飽和固溶体に含まれるSiが酸化反応を起こし、副産物としてAgが析出されることも明らかにした。

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田中貴金属グループの製造事業を展開する田中貴金属工業および田中電子工業は、ドイツ・ニュルンベルクで開催された世界最大規模のパワーエレクトロニクス展示会「PCIM Europe 2024」に出展。独自開発の低温で接合可能ながら高温耐熱性を持つ独自開発のシート状接合材である「AgSn TLPシート」などを展示していた。

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日本テキサス・インスツルメンツは、150〜250Wのモータードライブアプリケーション向けに、GaN(窒化ガリウム)デバイスを用いたインテリジェントパワーモジュール(IPM)「DRV7308」を発表した。エアコンや家電製品といった250Wのモータードライブアプリケーションで99%を上回る高効率を実現している。

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総裁選への立候補を表明した河野太郎デジタル大臣。8月26日に開催した立候補に関する記者会見において、河野大臣がX(旧Twitter)の一部ユーザーをブロックしている件について、「総理の資質としてふさわしいのか」という記者からの質問に答える形で見解を述べた。

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米MPSは、GaN FETを内蔵したフライバックレギュレータの製品群を拡大している。次世代パワー半導体の材料として期待されるGaNだが、Si MOSFETに比べてGaN FETの扱いは格段に難しい。ゲート駆動がSi MOSFETのように容易ではなく、緻密な制御を要求されるからだ。その難しさを取り除き、GaNソリューションを採用しやすくするのがMPSのGaN FET内蔵フライバックレギュレータだ。

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